高效率1MHz，2A升压稳压器TD8228一般说明特征TD8228是一款高效率，电流模式控制的BoostDC◆宽输入范围：2.5-6V直流稳压器，集成120mΩRDS（ON）N通道◆1MHz的开关频...

1.5MHz1.2A同步降压稳压器TD6811一般概述特征TD6811是一款高效率的单片同步器◆高效率：高达96％降压稳压器采用恒定频率，电流模式◆轻载时效率高建筑。该设备可调节◆极低静态电流：仅为...

TD90561A带温度调节独立线性锂离子电池充电器概述特征所述TD9056是一个完整的恒定电流/恒定电压可编程充电电流高达1000mA用于单个小区的锂离子电池线性充电器。它的SOP无MOSFET，检...

0.8A独立线性锂离子电池充电器，带热调节TD9054概述特征所述TD9054是一个完整的恒定电流/恒定电压可编程充电电流高达800mA用于单个小区的锂离子电池线性充电器。它的SOT23-5无需MO...

ISA04N65AN沟道MOSFETTO-220F应用范围特征：?适配器?符合RoHS标准?充电器?低导通电阻?SMPS待机功率?低门电荷?LCD面板电源?峰值电流与脉冲宽度曲线?ESD功能得到改善

S9341平板触摸IC介绍特点和好处Synaptics?S9341是一款高性能触摸屏◆68引脚aQFN封装控制器最多可与42个感应通道配合使用◆的电容感应：多达5个手指检测和同时跟踪TouchPad...

S3603触摸控制器数据表一般描述特征Synaptics?S3603是一款高性能的产品◆68引脚aQFN封装具有多达42个感应通道的触摸屏控制器◆的电容感应：用于对角线长达6英寸的显示器◆最多10个...

N沟道增强型MOSFETTDM3536一般描述一般特征该TDM3536采用先进的沟槽技术RDS（ON）<6.5mΩ@VGS=4.5V提供优异的RDS（ON）和低门电荷。这个RDS（ON...

泰德MOS管增强型MOSFETTDM3532N通道描述该TDM3532采用先进的沟槽技术提供优异的RDS（ON）和低门电荷。这个装置是适合用作负载开关或在PWM应用。一般特征?RDS（ON）&...

N通道增强型MOSFETTDM3518描述该TDM3518采用先进的沟槽技术提供优异的RDS（ON）和低门电荷。这个装置是适合用作负载开关或在PWM应用。一般特征?RDS（ON）<3....

N沟道增强型MOSFETTDM3512描述该TDM3512采用先进的沟槽技术提供优异的RDS（ON）和低门电荷。这个装置是适合用作负载开关或在PWM应用。一般特征?RDS（ON）<3....

N通道增强型MOSFETTDM3482描述该TDM3482采用先进的沟槽技术提供优异的RDS（ON）和低门电荷。这个装置是适合用作负载开关或在PWM应用。一般特征?RDS（ON）<13...

N通道增强型MOSFETTDM3478PPAK-3*3-8描述该TDM3478采用先进的沟槽技术提供优异的RDS（ON）和低门电荷。这个装置是适合用作负载开关或在PWM应用。一般特征?RDS（ON）...

N沟道增强型MOSFETTDM3458描述一般特征TDM3458采用先进的沟槽技术RDS（ON）<8.7mΩ@VGS=4.5V提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这个RDS（ON）&...

N沟道增强型MOSFETTDM3452描述TDM3452采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这个器件适合用作负载开关或PWM应用。一般特征?RDS（ON）<5.1m...

N沟道增强型MOSFETTDM3436描述TDM3436采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这个器件适合用作负载开关或PWM应用。一般特征?RDS（ON）<4.1m...

P通道增强型MOSFETTDM3421描述TDM3421使用先进的沟槽技术提供的RDS（ON）和低门电荷。该设备适合使用作为负载开关或PWM应用。一般特征?RDS（ON）<32mΩ@V...

高效率1.2MHz升压稳压器TD8213一般说明特征TD8213是高功率和高效率的提升2.7V至21V的宽输入电压范围具有集成30VFET的转换器，适用于LCD面板高达3.5A的电流限制背光应用。3...