苏州硅能半导体科技股份有限公司
诚信指数 0
一站通留言 客户留言 联系我们 联系我们 收藏此网站
首页
企业介绍
资质荣誉
供应信息
商业信息
企业新闻
招聘信息
企业名片
客户留言
产品资料
search 搜索网站中其它产品:
您现在的位置:苏州硅能半导体科技股份有限公司 > 供应信息
 
供应信息
锂电,苏州硅能半导体科技,锂...

成品锂电池组成主要有两大部分,锂电池芯和保护板,锂电池芯主要由正极板、隔膜、负极板、电解液组成;正极板、隔膜、负极板缠绕或层叠,包装,灌注电解液,封装后即制成电芯,锂电池保护板的作用很多人都不知道,...

价格:面议
苏州硅能半导体(图)、锂电车...

发展现况:3C产业常提到的锂电池其实是锂钴电池,广义的可充放锂电池是指由一个石墨负极、一个采用钴、锰或磷酸铁的正极、以及一种用于运送锂离子的电解液所构成。而一次锂离子电池则可以锂金属或者嵌锂材料作为...

价格:面议
锂电池电动车|苏州硅能半导体...

电池组作用:限流片。电池芯以手机电池系统为例,过充防护系统利用充电器输出电压设定在4.2V左右,来达到第1层防护,这样就算电池组上的保护板失效,电池也不会被过充而发生危险。第二道防护是保护板上的过充...

价格:面议
深圳锂电、动力锂电池、苏州硅...

锂电池充电器的用途介绍:锂电池充电器是专门用来为锂离子电池充电的充电器。锂离子电池对充电器的要求较高,需要保护电路,所以锂电池充电器通常都有较高的控制精密度,能够对锂离子电池进行恒流恒压充电。锂电池...

价格:面议
陕西锂电_锂电池保护_苏州硅...

发展现况:3C产业常提到的锂电池其实是锂钴电池,广义的可充放锂电池是指由一个石墨负极、一个采用钴、锰或磷酸铁的正极、以及一种用于运送锂离子的电解液所构成。而一次锂离子电池则可以锂金属或者嵌锂材料作为...

价格:面议
mos管 场效应管|上饶mo...

电极所有的FET都有栅极(gate)、漏极(drain)、源极(source)三个端,分别大致对应BJT的基极(base)、集电极(collector)和发射极(emitter)。除JFET以外,所...

价格:面议
场效应管型号_苏州硅能(在线...

测放大能力用感应信号法具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅...

价格:面议
苏州硅能半导体科技,mosf...

从名字表面的角度来看MOSFET的命名,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第1个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极(gateelectr...

价格:面议
mos管 厂家_周口mos管...

5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最1大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。6、PDSM—最1大耗散功率。也是一项极限...

价格:面议
mos管 厂家、mos管、苏...

常见的场效应管:MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor),属于绝缘栅...

价格:面议
mos管 厂家、苏州硅能(在...

电阻法测好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×...

价格:面议
mos管 做开关,北京mos...

VMOS场效应管:VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,mos管做开关,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MO...

价格:面议
mosfet 场效应管、苏州...

MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”(Insulated-GateFieldEffectTransistor,IGFET),而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧...

价格:面议
mosfet 低导通_mos...

2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例),N沟道结构型场效应管的结构及符号,由于PN结中的载流子已经耗尽,故PN基本上是不导电的,形成了所谓耗尽区,当漏极电源电压ED一定时,如果栅极电...

价格:面议
mosfet 场效应管_苏州...

组成FET由各种半导体构成,目前硅是最常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造,使用单晶半导体硅片作为反应区,或者沟道。大部分的不常见体材料,主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中,或...

价格:面议
广东mos管_mos管 场效...

组成FET由各种半导体构成,目前硅是最常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造,广东mos管,使用单晶半导体硅片作为反应区,或者沟道。大部分的不常见体材料,mos管开关作用,主要有非晶硅...

价格:面议
上海场效应管、苏州硅能半导体...

MOS场效应管电源开关电路MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)。它一般有耗尽型和增...

价格:面议
mosfet 保护、苏州硅能...

4.场效应管是由多子参与导电;三极管有多子和少子两种载流子参与导电,mosfet保护电路,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,mosfet保护,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在...

价格:面议
mos管工作原理、苏州硅能半...

电极所有的FET都有栅极(gate)、漏极(drain)、源极(source)三个端,分别大致对应BJT的基极(base)、集电极(collector)和发射极(emitter)。除JFET以外,所...

价格:面议
苏州硅能半导体(图),常用场...

场效应管与双极性晶体管的比较场效应管是电压控制器件,常用场效应管,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流。因此,在信号源额定电流极小的情况,应选用场效应管。场效应管是多子导电...

价格:面议
共 549 条( 21/28 )页 第一页 上一页 下一页 最后页 

免责声明:本商铺所展示的信息由企业自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责,一比多公司对此不承担任何保证责任。

友情提醒:为保障您的利益,降低您的风险,建议优先选择商机宝付费会员的产品和服务。


苏州硅能半导体科技股份有限公司   地址:苏州园区金鸡湖大道99号纳米科技城20幢501室   
联系人:夏经理   电话:0512-62560688   手机:13073303083   传真:0512-62560688
技术支持:一比多  |  免责声明 | 隐私声明
增值电信业务经营许可证:沪B2-20070060     网站Icp备案号:沪ICP备05000175号
<%---站点编号 ----%> <%---页面编号 ----%> <%---页面参数1 ----%> <%---页面参数2----%> <%---页面参数3 ----%>