福建安溪灿宏电子科技有限公司
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IOSFET 电解电容 二极管模块 固态继电器 系列 晶闸管二极管模块...
可控硅半控半桥、全桥 螺旋式整流管 珐琅型 台湾DACO快速... 西门子Sieme... 肖特基、快恢复二极管
伺服电机.伺服驱动器     
富士IGBT模块2MBI60...

供应:富士IGBT模块2MBI100VA-060V系列高速,低导通压降Tj=175℃电流在IC:80℃标称,用于变频器产品型号参数说明宽2MBI100VA-0602单元,100A/600V34mm2...

价格:1.00元/个
富士IGBT模块7MBR10...

供应:富士IGBT模块三相桥+七单元+NTC产品型号参数说明7MBR10SA1207单元,15A/1200V7MBR15SA1207单元,15A/1200V7MBR25SA1207单元,25A/12...

价格:面议
富士IGBT模块2MBI15...

供应:富士IGBT模块U4系列产品型号参数说明2MBI75U4A-1202单元,75A/1200V2MBI100U4A-1202单元,100A/1200V2MBI150U4A-1202单元,150A...

价格:面议
富士IGBT模块2MBI10...

供应:富士IGBT模块S系列P系列产品型号参数说明2MBI75S-1202单元,75A/1200V2MBI100SC-1202单元,100A/1200V2MBI150SC-1202单元,150A/1...

价格:面议
富士IGBT模块2MBI10...

供应:富士IGBT模块N系列和U2系列(高速,低导通压降)产品型号参数说明宽2MBI75N-0602单元,75A/600V34mm2MBI100N-0602单元,100A/600V34mm2MBI1...

价格:面议
宏微IGBT模块MMG150...

供应:宏微IGBT模块B6EN系列适用于高压变频行业产品型号参数说明MMG50S170B6EN2个单元,50A/1700V,34mm宽MMG75S170B6EN2个单元,75A/1700V,34mm...

价格:面议
宏微IGBT模块MMG150...

供应:宏微IGBT模块B6TN/XB6TN系列适用于通用变频器行业产品型号参数说明MMG100S120B6TN2个单元,100A/1200V,34mm宽MMG150D120B6TN2个单元,150A...

价格:面议
宏微IGBT模块MMG150...

供应:宏微IGBT模块B6N系列适用于UPS行业产品型号参数说明MMG100S060B6N2个单元,100A/600V,34mm宽MMG150S060B6N2个单元,150A/600V,34mm宽M...

价格:面议
宏微IGBT模块MMG75S...

供应:宏微IGBT模块B7HN系列适用于电焊机行业产品型号参数说明MMG50S120B7HN/MMG50S120B6C2个单元,50A/1200V,34mm宽MMG75S120B7HN/MMG75S...

价格:面议
宏微IGBT模块MMG100...

宏微IGBT模块B6HN系列适用于高频感应加热产品型号参数说明MMG100D120B6HN2个单元,100A/1200V,62mm宽MMG150D120B6HN2个单元,150A/1200V,62m...

价格:面议
三菱IGBT模块CM2500...

供应:三菱IGBT模块第六代NewMPD系列采用CSTBTTM硅片技术的第6代IGBT宽的安全工作区,杰出的短路鲁棒性的VCE(sat)Vs.Eoff折衷性能硅片结温可达175°C新型无焊...

价格:面议
三菱IGBT模块CM300D...

供应:三菱IGBT模块第五代NX系列采用化CSTBTTM硅片技术有CIB、7单元、2单元和1单元四种拓扑结构内部集成NTC测温电阻全系列共享同一封装平台耐功率循环和热循环能力强具有竞争力的性价比有条...

价格:面议
三菱IGBT模块CM200D...

供应:三菱IGBT模块第五代NF系列采用低损耗CSTBTTM硅片技术LPT结构用于1200V模块,更加适合于并联使用额定电流定义比市场上同类产品高一个等级外形尺寸与H系列IGBT完全兼容内置导热性能...

价格:面议
三菱IGBT模块CM150D...

供应:三菱IGBT模块第五代A系列采用CSTBTTM硅片技术饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%,在相同输出电流时ΔT(j-f)低15%成本优化的封装...

价格:面议
三菱IGBT模块CM900D...

供应:三菱IGBT模块第六代MPD系列第6代CSTBTTM硅片技术带来:杰出的短路鲁棒性-降低了栅极电容-低VCE(sat)Vs.Eoff新的紧凑型封装良好的匹配液体冷却多孔型端子使得接触阻抗更低,...

价格:面议
三菱IGBT模块CM300D...

供应:三菱IGBT模块第六代A/NF系列采用第6代IGBT硅片技术,损耗低硅片结温可高达175°C硅片运行温度可达150°C内部集成NTC测温电阻封装兼容第五代A/NF系列模块产...

价格:面议
三菱IGBT模块CM50MX...

供应:三菱IGBT模块第六代NX系列采用第6代IGBT硅片技术,损耗低二极管采用第6代LPT硅片技术,正向导通压降低硅片结温可高达175°C硅片运行温度可达150°C内部集成NT...

价格:面议
三菱IGBT模块CM1400...

供应:三菱IGBT模块第五代MPD系列的CSTBTTM硅片技术带来:杰出的短路鲁棒性-降低了栅极电容-低VCE(sat)Vs.Eoff新的紧凑型封装良好的匹配液体冷却多孔型端子使得接触阻抗更低,实现...

价格:面议
三菱IGBT模块CM100D...

供应:三菱IGBT模块第五代NFM系列采用CSTBTTM硅片技术,实现开关速度控制的化饱和压降低于业界同类产品续流二极管:超高速恢复特性,极低拖尾电流开关频率可达30kHz模块内部寄生电感低产品型号...

价格:面议
三菱IGBT模块CM300D...

供应:三菱IGBT模块第五代NFH系列采用CSTBTTM硅片技术,实现开关速度控制的化饱和压降低于业界同类产品续流二极管:超高速恢复特性,极低拖尾电流开关频率可达60kHz模块内部寄生电感低产品型号...

价格:面议
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