碳化硅单晶片由XPS得出表面是由Ta和Si的化合物组成，这可能就是Ta与半绝缘SiC的欧姆接触的形成机理；I-V曲线测试证实所得到电极欧姆接触机能较好；由霍尔丈量得到半绝缘SiC单晶材料的电阻率的丈...
砷化镓单晶片在掺钒半绝缘SiC单晶片表面淀积100nm厚的Ta金属层，然后在930℃真空前提下退火2min,再利用蒸发淀积的方法在其表面淀积Au层的工艺制作欧姆接触电极。分别采用扫描电子显微镜（SE...
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