18倍monolitic瞬态电压抑制器。18倍结常见阳极设计保护18岁独立线路使用只有一个包。这个设备是理想的情况下,董事会是一个溢价空间。特性和优势SO20SMD包装允许18岁独立稳压二极管阳极配...

双超快的功率二极管在SOT78(ab-220)塑料包。这些二极管是崎岖的,保证静电放电电压的能力。特性和优势快速切换保证防静电能力高的热循环性能低开态损失低的热阻软恢复最小化power-consum...

该SA58670是立体声无滤波器D类音频放大器，可在一个HVQFN20包装与暴露的电路小片附加桨（DAP）。该SA58670每个通道具有独立的关断控制。增益可设置在6dB，12dB时18分贝或24分...

该KMA200是角度传感器的系统。的磁阻（MR）元件和所述混合信号的集成电路（IC）被集成在一个封装中。这个角度的系统已经预先编程，偏移进行补偿，因此，准备使用。通过串行外设接口（SPI）的KMA2...

平面的SOT54（TO-92）塑料包装钝化高换三象限双向可控硅。这种“D系列”三端双向可控硅平衡的换向性能和栅极灵敏度的要求，适用于低功率驱动器和逻辑IC，包括微控制器接口。特性和优势3Q技术，提高...

该TDA1566是汽车音频功率放大器实现BCDMOS互补输出级。该TDA1566有两个桥接负载（BTL）输出级，并采用HSOP24或DBS27P包。该TDA1566可以带或不带I2C总线控制。与I2...

该TDA1308是包含在一个SO8或TSSOP8塑料封装的集成AB类立体声耳机驱动器。该装置被制造在一个1微米的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺，并已开发出主要用于便携式数字音频应用。特性和优势...

该SA58672是一个单声道，无滤波器D类音频放大器，这是一个9焊球WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装）和10端子HVSON封装。该SA58672功能关断控制。提高免疫力噪声和RF整改提高高PSRR和差...

该SA58670是立体声无滤波器D类音频放大器，可在一个HVQFN20包装与暴露的电路小片附加桨（DAP）。该SA58670每个通道具有独立的关断控制。增益可设置在6dB，12dB时18分贝或24分...

该SA58637处于HVQFN20封装的双声道音频放大器。它提供了输出功率为2.2W，每通道有8Ω负载在9V电源。内部电路由两个桥接负载（BTL）放大器配有互补PNP-NPN输出级和待机/静音逻辑。...

N沟道增强型场效应晶体管（FET）使用沟道MOSFET技术的一个塑料包。特点和优点适用于逻辑电平栅极驱动来源转换速度非常快表面贴装封装沟槽MOSFET技术应用逻辑电平转换器高速线路驱动器参数搜索所有...

该CLRC632是一个家庭的高集成读卡IC，用于在13.56MHz非接触通信的一员。这家读卡器IC提供：先进的调制和解调的被动非接触式通信各种各样的方法和协议一个小的，完全集成的软件包与MFRC50...

SA601是一款组合式RF放大器和混频器，主要用于800-1200MHz的高性能低功率通信系统。900MHz下低噪音前置放大器具有1.6dB的噪音系数，输入端具有11.5dB的增益和-2dBm的IP...

LPC1300器件针对嵌入式应用，具有高集成度和低功耗，提供系统增强功能，比如增强型调试功能和更高水平的支持块集成等。LPC1300器件的CPU工作频率可达72MHz。ARMCortex-M3CPU...

该TDA7052A/AT是单声道BTL输出放大器，具有直流音量控制。它们设计用于在电视和显示器使用，也适合于电池馈便携式录音机和收音机。缺少电流限制器（MCL）一个MCL保护电路内置。当每一个放大器...

N沟道增强型场效应晶体管（FET）使用沟道MOSFET技术的一个塑料包。特点和优点适用于逻辑电平栅极驱动来源转换速度非常快表面贴装封装沟槽MOSFET技术应用逻辑电平转换器高速线路驱动器参数搜索所有...