欠压：若在VDD检测的电池电压低于欠压阀值VUV的时间大于欠压延迟TUVD，则DS2720关闭充电和放电FET，并置保护寄存器UV标志，使其进入休眠模式。在电池电压升到VUV以上和充电器连接之后，IC接通充电和放电FET。

　　短路：在TSCD周期，若在VDD检测的电池电压低于消耗阀值电压VSC，则DS2720关闭充电和放电FET，并置保护寄存器的的DOC标志。经过充电和放电FET的电流通路不会重新建立直到PLS上的电压升到大于VDD-VOC为止。DS2720提供流经内部电阻RTST（从VDD到PLS，当VDD升到大于VSC时，上拉PLS）的测试电流。此测试电流可使DS2720能检测低阻抗负载的偏移。另外，通过从PLS到VDD的RTST可恢复充电通路。

　　过流：若加在保护FET的电压（VDD-VPLS）大于VOC的时间超过了TOCD，则DS2720关断外部充电和放电TET，并置位保护寄存器DOC标志。电流通路不会重新建立直到PLS上的电压升到大于VDD-VOC为止。DS2720通过内部电阻TRST（从VDD到PLS）提供测试电流来检测不合格的低阻抗负载的偏移。

　　过温：若DS2720温度超过TMAX，则立即关断外部充电和放电FET。FET不会导通直到如下两个条件满足为止：电池温度降到低于TMAX，主机复位OT位。

　　充电温度

　　应尽量在室温下充电。镍基电池应在10℃~30℃之间快速充电。低于5℃（41oF）和高于45℃（113oF），镍基电池的充电接收度急剧降低。锂离子电池在整个温度范围内呈现良好的充电性能，但低于5℃（41oF），充电率小于1C。