西安可控硅模块厂家-你知道可控硅模块两端并联阻容网络的作用吗？
你知道可控硅模块两端并联阻容网络的作用吗？下面为你介绍可控硅模块两端并联阻容网络的作用。具体如下：　　
      在实际可控硅模块电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
　　我们知道，可控硅模块有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明可控硅模块在额定结温和门极断路条件下，使可控硅模块从断态转入通态的电压上升率。若电压上升率过大，超过了可控硅模块的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于可控硅模块的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为可控硅模块可以看作是由三个PN结组成。

　　在可控硅模块处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当可控硅模块阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果可控硅模块在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，可控硅模块误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到可控硅模块上的阳极电压上升率应有一定的限制。

　　为了限制电路电压上升率过大，确保可控硅模块安全运行，常在可控硅模块两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏可控硅模块。同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏可控硅模块。 　　由于可控硅模块过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。