成都防爆手电筒|成都防爆手电筒价格

  产品名称：高亮度调光防爆电筒 　
防爆标志：Exd II CT6 　
防爆证号：NLE06323 　成都防爆手电筒
防护等级：IP67 　
为满足市场对高亮度小型节能照明灯具的需求而研制开发。能安全可靠的为消防、电力、工矿企业及其他易燃易爆场所提供移动照明。
性能特点
1、光源采用进口高亮度LED，节能高效，A型有效照射距离可达250米以上，强光、弱光可自由转换。 　
2、全密封设计，防水可达1米。电池采用高容量环保锂电池，寿命长，自放电率低。 　
3、外壳深度防滑处理，轻盈美观；携带方式除手持外还可选用尾部挂绳手拎或长绳肩背。 　成都防爆手电筒
4、充电、放电、恒流采用芯片智能控制，多重保护，安全高效。
发光原理
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即 
λ≈1240/Eg（mm） 成都防爆手电筒
式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。