化学机械抛光（CMP）是实现晶圆全局平坦化的关键工艺，通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，利用CMP抛光液、抛光机和抛光垫等CMP抛光研磨耗材实现晶圆表面多余材料的去除与纳米级全局平坦化。简单来讲，半导体晶圆制程可分为前道和后道 2 个环节。前道指晶圆的加工制造，后道工艺是芯片的封装测试。

前道加工领域CMP主要负责对晶圆表面实现平坦化。后道封装领域CMP 工艺用于先进封装环节的抛光。

晶圆制造前道加工环节主要包括7 个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化 CMP 则主要用于衔接不同薄膜工艺，其中根据工艺段来分可以分为前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL），前段制程工艺主要为 STI-CMP 和Poly-CMP，后段制程工艺主要为介质层 ILD-CMP、IMD-CMP 以及金属层 W-CMP、CMP技术利用磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光，避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。由此而见，CMP是先进集成电路制造前道工序、先进封装等环节必需的关键制程工艺。

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