干净室中的温湿度控制 干净空间的温湿度主要是依据工艺请求来肯定，但在满足工艺请求的条件下，应思索到人的温馨度感。随着空气干净度请求的进步，呈现了工艺对温湿度的请求也越来越严的趋向。详细工艺对温度的请求以后还要罗列，但作为总的准绳看，由于加工精度越来越精密，所以对温度动摇范围的请求越来越小。例如在大范围集成电路消费的光刻曝光工艺中，作为掩膜板资料的玻璃与硅片的热收缩系数的差请求越来越小。直径100 um的硅片，温度上升1度，就惹起了0.24um线性收缩，所以必需有±0.1度的恒温，同时请求湿度值普通较低，由于人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间温度不宜超越25度，湿渡过高产生的问题更多。相对湿度超越55%时，冷却水管壁上会结露，假如发作在精细安装或电路中，就会惹起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将经过空气中的水分子把硅片外表粘着的灰尘化学吸附在外表难以肃清。相对湿度越高,粘附的越难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于外表，同时大量半导体器件容易发作击穿。关于硅片消费最佳湿度范围为35—45%。

干净室中的气流速度规则 这里要讨论的气流速度是指干净室内的气流速度，在其他干净空间中的气流速度在讨论详细设备时再阐明。 关于乱流干净室 由于主主要靠空气的稀释作用来减轻室内污染的水平，所以主要用换气次数这一概念，而不直接用速度的概念，不过对室内气流速度也有如下请求； (1)送风口出口吻流速度不宜太大，和单纯空调房间相比，请求速度衰减更快，扩散角度更大。 (2)吹过程度面的气流速度（例如侧送时回流速度）不宜太大，以免吹起外表微粒重返气流，而形成再污染，这一速度普通不宜大干0.2m/s。 关于平行流干净室《习气上称层流干净室），由于主要靠气流的“活塞打挤压作用扫除行染，所以截面上的速度就是十分重要的指标。过去都参考美国20gB规范，采用0.45m/s．但人们也都理解到这样大速度所需求的通风量是极大的，为了节能，也都在探求降低风速的可行性。 在我国，《空气干净技术措施》和(干净厂房设计标准）都是这样规则的 垂直平行流（层流）干净室≥0.25m/s 程度平行流（层流）干净室≥0.35 m/s

这里有必要先阐明一下无窗干净室的照明方式： (1)普通照明它指不思索特殊的部分需求，为照亮整个被照面积而设置的照明。 (2)部分照明这是指为增加某一指定地点（如工作点）的照度而设置的照明。但在室内照明由普通不单独运用部分照明。 (3)混合照明这是指工作面上的照度由普通照明和部分照明合成的照明，其中普通照明的照度按《干净厂房设计标准》应占总照度的10%—15%，但不低干150LX。 单位被照面积上承受的光通量即是照明单位勒克斯(LX)。国外干净室的强度请求极高，例如美国关于干净室的几个规范的请求是． 人工光300lx有较好的效果，当工件精密水平更高时，500x也是允许的。关于要红灯照明的中央，如电子行业的光刻车间，其照度普通为(25—501x)，用自然光时可允许更高的照度，因此对工作是有利的，所以今后干净室的照明既采用人工光也采用自然光可能是有出路的，这也是为了节能而呈现的一种意向。 4、防静电干净室中由于静电惹起的的事故屡有发作，因而干净室的防静电才能如何已成为评价其质量的一个不可无视的方面。