半导体激光器发展的第二阶段是异质结构半导体激光器，它是由两种不同带隙的半导体材料薄层，如GaAs,GaAlAs所组成，最先出现的是单异质结构激光器（1969年）.单异质结注人型激光器是利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAsP一N结的P区之内，以此来降低阀值电流密度，其数值比同质结激光器降低了一个数量级，但单异质结激光器仍不能在室温下连续工作。

激光器噪声大小与种子激光器噪声很接近，典型的种子激光器是小的激光二极管(单频或者增益开关)，短腔光纤激光器，小型的固态激光器如非平面环形振荡器(NPROs)，光纤激光器的应用范围非常广泛，包括激光光纤通信、激光空间通信、工业造船、汽车制造、激光雕刻、激光打标、激光切割、印刷辊、金属非金属钻孔/切割/焊接（铜焊接、淬火、熔覆和深焊）、军事国防和安全、医疗设备和设备、大型基础设施、作为其他激光器的泵浦源等。

激光器是产生激光的装置，一般由三个部分组成：工作物质这是激光器的核心，只有能实现能级跃迁的物质才能作为激光器的工作物质，目前，激光工作物质已有数千种，激光波长已由x光远至红外光，例如氦氖激光器中，通过氦原子的协助，使氖原子的两个能级实现粒子数反转；除此之外,全固体绿光激光器还在光存储、信息处理、激光光谱与全息、相干通讯、激光娱乐、激光雷达、干涉测量、光学数据存储、军事工业等领域也有着广泛的应用。