国内学者提出新型拓扑电路，并以硅基MOSFET作为开关器件，通过吸收寄生参数和采用软开关工作模式的方法实现1MHz/1kW超高频感应加热电源，但是换流过程较复杂。超高频感应加热电源研究工作中存在的关键问题是：在MHz开关频率下，由于硅基开关器件寄生电容、二极管反向恢复电流、线路杂散电感等参数的影响，电路中会出现电压电流过冲和高频振荡以及较大的器件损耗，导致采用传统的电压源串联型和电流源并联型拓扑时，电源的工作频率和输出功率受到限制。

为了解决存在的问题，需要在电路拓扑、开关器件、线路布局和工作模式方面加以考虑。华北电力大学电气与电子工程学院、保定的研究人员采用一种单向脉冲供电的电路拓扑和SiC器件来研究固态超高频感应加热电源。此电路拓扑具有形成单向高频电流脉冲向并联谐振负载输出大功率和减弱线路杂散电感影响的特点，再结合SiC开关器件的优良特性和软开关工作模式，可以在很大程度上减小电压冲击和开关器件损耗，使电源的工作频率和输出功率得以提升。