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　　1．阈值电流。当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈

值电流时，p-n结产生激光。影响阈值的几个因素： 　　（1）晶体的掺杂浓度越大，阈值越小。 
　　（2）谐振腔的损耗小，如增大反射率，阈值就低。 
　　（3）与半导体材料结型有关，异质结阈值电流比同质结低得多。目前，室温下同质结的阈值电流大

于30000A/cm2；单异质结约为8000A/cm2；双异质结约为1600A/cm2。现在已用双异质结制成在室温下能

连续输出几十毫瓦的半导体激光器。 
　　（4）温度愈高，阈值越高。100K以上，阈值随T的三次方增加。因此，半导体激光器在低温和

室温下工作。
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