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2302芯片

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有效期：长期有效

所在地：广东省深圳市

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V_DS= 20V

R_DS(ON), V_gs@1.8V, I_ds@2.0A= 80m?@TYP

R_DS(ON), V_gs@2.5V, I_ds@2.0A= 50m?@TYP

R_DS(ON), V_gs@4.5V, I_ds@2.8A = 40m?@TYP

Features

Advanced trench process technology

High Density Cell Design For Ultra LowOn-Resistance

SOT-23 Internal SchematicDiagram

V_DS= 20V

R_DS(ON), V_gs@1.8V, I_ds@2.0A= 80m?@TYP

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Features

Advanced trench process technology

High Density Cell Design For Ultra LowOn-Resistance

SOT-23 Internal SchematicDiagram

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