国内首台大功率IGBT全参数自动测试系统
我公司科研人员经过连续技术攻关,在原有高端半导体分立器件自动测试系统基础上,自行研发出国内首台IGBT测试仪，圆满解决了功率IGBT等新型半导体器件的全参数测试难题,填补了国内在半导体自动测试领域的空白，该项产品综合技术指标达到国际水平。
目前我公司提供的IGBT测试仪采用模块式功放结构,主极电流400A/500A/1000A/1250A可选,
2500A/5000A选项可以根据用户需要定制。
IGBT测试仪可测IGBT参数包括了ICES,
BVCES, IGESF,
IGESR, VGETH,
VGEON, VCESAT,
ICON,VF,
GFS,rCE等全直流参数,所有小电流指标保证1%重复测试精度,大电流指标保证2%以内重复测试精度,达到目前国外进口同类产品水平。
绝缘栅晶体管、IGBT测试参数及精度
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电参数名称
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电压范围
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电流范围
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分辨率
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精度
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ICES
IGESF
IGESR
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0.10V- 2000V
0.10V - 20V(80V)（2）
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100nA(100pA)（1）
- 50mA
100nA(100pA)（1）-
3A
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1nA(50pA)（1）
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1%+10nA+20pA/V
(1%+200pA+2pA/V)（1）
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BVCES
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0.1V-1000V- 1400V
- 1600V
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100μA - 200mA
-100mA
-50mA
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5mV
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1%＋100mV
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VGETH
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0.10V- 20.0V(80V)（2）
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100nA- 3A
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5mV
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1%+10mV
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VCESAT
ICON
VGEON
VF
GFS(混合参数)
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VCE: 0.10V- 5.00V
- 9.99V
VGE、VF:
0.10V - 9.99V
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IC: 10μA-1250A
- 1250A
IGE、IF:
100nA - 10A
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5mV
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V: 1%+10mV
IC,IF: 1%+100nA
IGE: 1%+5nA
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（1）
需要小电流台选件
（2）
需要栅极80V选件
IGBT测试仪可针对目前封装的多单元IGBT特征,根据用户需要提供4/
8/ 20单元扫描测试适配器,从而实现多单元封装器件的一次性全参数测试.与进口专用测试系统相比,该产品可同时对各种功率的其它10-18多类半导体分立器件进行全参数测试,具有更高的使用效率。与国外同类产品相比,该产品具有更高的性能价格比和国外厂家不能做到的优质售后服务。