我公司自主研发的大功率雪崩耐量测试系统正式交付北京某大型研究院所使用
近期，我公司自主研发的大功率雪崩耐量测试系统正式交付北京某大型研究院所使用，在交付检测过程中，各项指标均满足并优于其他同类产品，得到院所的高度评价。对易恩前期交付的大功率IGBT动态测试设备也给予积极充分的评价。
易恩电气，致力于全球电力电子测试方案提供商,主要提供电力电子相关的大功率分立器件测试仪、IGBT测试仪、变流器IGBT测试仪，牵引系统IGBT测试仪，半导体参数图示仪、IGBT动态参数测试仪、MOS管动态参数测试仪、IPM测试仪、雪崩耐量测试仪、浪涌测试仪等功率半导体测试设备.
ENX2020雪崩耐量测试系统
系统概述：
半导体分立器件作为在电力电子行业中应用最为广泛的基础元件，其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能够承受电路中的电流，满足一定的雪崩耐量。
雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿能力。电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量。但是，一些电源在输出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。
该测试系统主要用于IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A，电压 4500V，雪崩能量可达 2000J。测试的电压和电流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理后，将测试数据以 EXCEL 表格形式显示并进行最终的编辑和打印,同时可观测雪崩波形。设备可满足各种封装形式的功率模块测试需求，并预留电压电流扩展功能。
系统模块：
主控单元、电源模块、高压输出模块、电流输出模块、数据采集模块、驱动电路、保护电路
系统特征：
雪崩能量/电流超限提示、设备配有应急装置、可设置保护电压、可连接handler
测试结果保存为Excel、测试波形采集及显示、
规格/环境要求：
尺 寸：800x800x1800(mm)
质 量：210kg
环境湿度：15~40℃
工作电压：AC220V±10%无严重谐波
电网频率：50Hz±1Hz
大气压力：86Kpa~106Kpa
通信接口：USB RS232
系统功耗：320W
功能指标：
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配置
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测试范围
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测试参数
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条件
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范围
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电压
1000V
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IGBTs
绝缘栅双极型晶体管
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EAS/单脉冲雪崩能量
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VCE
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20V～4500V
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20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V
1000V~4500V±3%±10V
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电流
200A
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MOSFETs
MOS场效应管
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EAR/重复脉冲雪崩能量
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Ic
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1mA～200A
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1mA～100mA±3%±0.1mA
100mA～2A±3%±5mA
2A～200A±3%±50mA
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DIODEs
二极管
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IAS/单脉冲雪崩电流
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Ea
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1J～2000J
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1J～100J±3%±1J
100J～500J±3%±5J
500J～2000J±3%±10J
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PAS/单脉冲雪崩功率
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IC检测
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50mV/A（取决于传感器）
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感性负载
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10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、
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重复间隙时间
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1~60s可调（步进1s） 重复次数：1~50次
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