JKZC-ST4型半导体材料数字式四探针测试仪
关键词:电阻,电阻率,四探针,半导体
一、产品概述
JKZC-ST4型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准。
仪器具有测量度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、测量简便、结构紧凑、使用方便等特点。
仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。
二、符合:
1、符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、
2、符合GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》
3、符合美国 A.S.T.M 标准
二、产品应用:
1、测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻;
2、可测柔性材料导电薄膜电阻率/方阻
3、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜(ITO膜)电阻率/方阻
4、纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻
5、电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量
6、可测试电池极片等箔上涂层电阻率方阻
二、基本技术参数
1、 测量范围
电 阻:1×10-4~2×105 Ω ,分辨率:1×10-5~1×102 Ω
电阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm
方 阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□
静压电系数:0-2000PC/N(另配)
2、测量方式:自动或手动
3、基度:±0.1/%
4、四探针探头:
(1)碳化钨探针:Φ0.5mm,直线探针间距1.0mm,探针压力: 0~2kg 可调
(2)薄膜方阻探针:Φ0.7mm,直线或方形探针间距2.0mm,探针压力: 0~0.6kg 可
5. 电源:198V -242V(AC),47.5Hz -63Hz
6、操作环境: 0°C -40°C ,≤90%RH
7、外形尺寸:200mm(长)×220 mm(宽)×100mm(高)
8、数据传输方式;USB
9、软件方式:人性化分析软件界面,数据自动生成
10、可以配合压电材料的静压电d33系数:0-2000PC/N
分析软件(一)
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JKZC-ST4型半导体材料数字式四探针测试仪
关键词:电阻,电阻率,四探针,半导体
一、产品概述
JKZC-ST4型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准。
仪器具有测量度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、测量简便、结构紧凑、使用方便等特点。
仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。
二、符合:
1、符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、
2、符合GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》
3、符合美国 A.S.T.M 标准
二、产品应用:
1、测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻;
2、可测柔性材料导电薄膜电阻率/方阻
3、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜(ITO膜)电阻率/方阻
4、纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻
5、电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量
6、可测试电池极片等箔上涂层电阻率方阻
二、基本技术参数
1、 测量范围
电 阻:1×10-4~2×105 Ω ,分辨率:1×10-5~1×102 Ω
电阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm
方 阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□
静压电系数:0-2000PC/N(另配)
2、测量方式:自动或手动
3、基本度:±0.1/%
4、四探针探头:
(1)碳化钨探针:Φ0.5mm,直线探针间距1.0mm,探针压力: 0~2kg 可调
(2)薄膜方阻探针:Φ0.7mm,直线或方形探针间距2.0mm,探针压力: 0~0.6kg 可
5. 电源:198V -242V(AC),47.5Hz -63Hz
6、操作环境: 0°C -40°C ,≤90%RH
7、外形尺寸:200mm(长)×220 mm(宽)×100mm(高)
8、数据传输方式;USB
9、软件方式:人性化分析软件界面,数据自动生成
10、可以配合压电材料的静压电d33系数:0-2000PC/N
分析软件(一)