ZEM-5热电性能分析系统
技术特点：
·适用于研究开发各种热电材料和薄膜材料，提高测量精度
·温度检测采用C型热电偶，最适合测量Si系列热电材料(SiGe, MgSi等) *HT型
·真正可测基板上的纳米级薄膜（TF型）
·可测10MΩ高电阻材料
·标准搭载欧姆接触自我诊断程序并输出V/I图表
·基于日本工业标准JIS (热电能JIS 电阻率JIS R 1650-2)
|
|
ZEM-5HT
|
ZEM-5HR
|
ZEM-5LT
|
ZEM-5TF
|
|
特 点
|
高温型
|
高电阻型
电阻：10MΩ
|
低中温型
|
薄膜型
可测在基板上形成的热电薄膜
|
|
温度范围
|
RT-1200℃
|
RT-800℃
|
-150℃-200℃
|
RT-500℃
|
|
样品尺寸
|
直径或正方形：2 to 4 mm2；
长度3 ～ 15mm
|
成膜基板：宽2-4mm，厚0.4-12mm，长20mm
薄膜厚度：≥nm量级
薄膜样品与基板要求绝缘
|
|
控温精度
|
±0.5K
|
|
测量精度
|
塞贝克系数：＜±７％； 电阻系数：＜±７％
|
|
测量原理
|
塞贝克系数：静态直流电； 电阻系数：四端法
|
|
测量范围
|
塞贝克系数：0.5μV/K_25V/K； 电阻系数：0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ
|
|
分辨率
|
塞贝克系数：10nV/K； 电阻系数：10nOhm
|
|
气 氛
|
减压Ｈｅ
|