一，ESD的定义
ESD（Electro-Static discharge）的意思是静电释放。ESD是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此，国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD，中文名称为静电阻抗器。
二，ESD静电保护管的特点
1，高电位：可达数万至数十万伏，操作时常达数百至数千伏（人通常对3KV一下静电不容易感觉到）。
2，低电量：静电流多为微安级（瞬间放电例外）。
3，反应快：作用时间短，微妙级。
4，受环境影响大，特别是湿度，湿度上升则静电积累减少，静电电压下降。
5，具有消减EMI/P\RFI的特性。
6，具有反复打击的能力
7，可双向瞬间保护
8，低电流，低电感。
9，电容值有可选性
三，ESD的电气特性
1，ESD突波器电压，有名义电压和破坏电压
2，突波器电压是指加1MA电流通过，所产生的电压下降值。
3，ESD的电压并没有特殊的电子物理意义，但通常被用来作为规定ESD规格的实际参考标准。
4，ESD的电压会随着烧结温度及内部电极距离而改变。
5，因此工作直流电压的改变决定ESD的电压规格。
6，实际上，ESD电压的选择，一般顺大于被保护器件工作电压的20%以上。
四，ESD静电产品中TVS管和ESD高分子聚合物的优缺点
1，ESD高分子的钳制电压虽然较TVS管高一点，但是和半导体元器件本身拥有自我ESD保护能力比较，但是还是低很多。一般半导体元件自我保护ESD的能力在几百伏到2000伏左右。
2，一般IC的自我保护能力均在数百伏以上，因此ESD高分子的钳制电压虽然较TVS管高1-20伏左右，但这并不影响它的保护能力，因此一般可以忽略这个小缺点。
3，ESD高分子可重复打击到20000次以上，而TVS管在2000次左右，就会发生故障。
4，温度特性方面，ESD高分子温度到125摄氏度都依然保持稳定不变，TVS管在25摄氏度的时候，它的Peak Power即开始下降。
5，ESD的反应速度在0.4-0.6纳秒，TVS管的反应速度在0.8-1纳秒之间。
6，ESD高分子尺寸小，占用面积小，TVS管尺寸大。
7，ESD高分子电容值很低，TVS管电容值较高。
 

一，ESD的定义
ESD（Electro-Static discharge）的意思是静电释放。ESD是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此，国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD，中文名称为静电阻抗器。
二，ESD静电保护管的特点
1，高电位：可达数万至数十万伏，操作时常达数百至数千伏（人通常对3KV一下静电不容易感觉到）。
2，低电量：静电流多为微安级（瞬间放电例外）。
3，反应快：作用时间短，微妙级。
4，受环境影响大，特别是湿度，湿度上升则静电积累减少，静电电压下降。
5，具有消减EMI/P\RFI的特性。
6，具有反复打击的能力
7，可双向瞬间保护
8，低电流，低电感。
9，电容值有可选性
三，ESD的电气特性
1，ESD突波器电压，有名义电压和破坏电压
2，突波器电压是指加1MA电流通过，所产生的电压下降值。
3，ESD的电压并没有特殊的电子物理意义，但通常被用来作为规定ESD规格的实际参考标准。
4，ESD的电压会随着烧结温度及内部电极距离而改变。
5，因此工作直流电压的改变决定ESD的电压规格。
6，实际上，ESD电压的选择，一般顺大于被保护器件工作电压的20%以上。
四，ESD静电产品中TVS管和ESD高分子聚合物的优缺点
1，ESD高分子的钳制电压虽然较TVS管高一点，但是和半导体元器件本身拥有自我ESD保护能力比较，但是还是低很多。一般半导体元件自我保护ESD的能力在几百伏到2000伏左右。
2，一般IC的自我保护能力均在数百伏以上，因此ESD高分子的钳制电压虽然较TVS管高1-20伏左右，但这并不影响它的保护能力，因此一般可以忽略这个小缺点。
3，ESD高分子可重复打击到20000次以上，而TVS管在2000次左右，就会发生故障。
4，温度特性方面，ESD高分子温度到125摄氏度都依然保持稳定不变，TVS管在25摄氏度的时候，它的Peak Power即开始下降。
5，ESD的反应速度在0.4-0.6纳秒，TVS管的反应速度在0.8-1纳秒之间。
6，ESD高分子尺寸小，占用面积小，TVS管尺寸大。
7，ESD高分子电容值很低，TVS管电容值较高。