特博公司专业提供砷化镓衬底晶片（高质量）和多晶砷化镓晶棒，单晶砷化镓晶棒
产品用于LED, LD和太阳能市场，深受国内外客户的好评
GaAs wafer sepc.
Item
Unit
Sepcification
Remarks
Crystal Growth
VGF HB VB
Dopant
Si or Zn or undope
N-type/ P-type/ undope
Diameter
1” 2” 3” 4” 6”
Orientation
(100) (111)
Other orientation available
Carrier Concentration
/cm3
0.4~2.5*1018
Other spec. available
Resisitivity
Ohm.cm
(0.8-9)×10-3 (1-9)×1017
Mobility
cm2/v.s
1500~3000 3000~5000
EPD
/cm2
<100 <500
<5000 <10000
Thickness
~350um ~625um
TTV
um
<10um or better
TIR
Bow
Warp
Surface
PE PP
Epi-ready
Yes
砷化镓多晶棒
合成方法：水平法（HB）
用 途：可用于发光二极管（LED）、激光二极管（LD）以及太阳能
电池 等领域砷化镓单晶的生产。
砷化镓多晶料性能指标
原料纯度
6N 及以上
导电类型
N 型
迁移率（cm2/V＆#8226;s）
2500~3500
载流子浓度（cm-3）
1.0×1016~1.0×1017
产品外观
D 字形
尺寸
约 60mm 宽× 45mm 高× 330mm 长
砷化镓单晶棒
生长方法
VB
N型
掺杂元素
Si
直径
2-4
英寸
方向
(100) 150 ± 10′off toward〈111〉A
载流子浓度
Min: 0.2 E18
Max: 4.0 E18
电阻率
Min: 0.8 E-3
Max: 9.0 E-3
迁移率
≥ 1800
位错密度
≤ 3500
其他规格可按客户要求提供
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