主要特点：1单个基片。碎片或带片盘是基片（3--12寸）
2适用于实验室和试制线生产
3沉积薄膜：氧化物。氮氧化物。氮化物，和无定向硅
4操作简单通过打开室盖，直接将基片装入工艺室
可选配一个icp或三极管，三极管可获得更高密度等离子。
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