1-    Bonded SOI wafer (绝缘硅上键合硅片）

                          For 4”(100mm）, 5”（125mm）, 6”（150mm）

                     ---- Handle wafer minimum 300um maximum 1000um, 

                     ---- Buried Oxide, minimum 0.1 um, maximum 4 um, 

                     ---- Device layer minimum 2 um, max 500 um. 

                          For 8"（200mm）

                     ---- Handle thickness minimum 500um and maximum 675um, 

                     ---- Buried Oxide minimum 0.1 um, maximum 4 um,

                     ---- Device layer minimum 5 um, maximum 500 um.

2-       Si-Si direct wafer bonding (replacement for epi) 硅-硅直接键合，可替代外延片

      100mm, 125mm, 150mm and 200mm, thickness as specified above.

3-       Engineered SOI, Double SOI (DSOI), Trench Isolation SOI (dielectric isolation), 

      Cavity SOI (for pressure sensor, gyro and accelerometer sensor, microfludic etc.)

      and finally Through Silicon Via (TSV)   

 ----  Cavity SOI - Bonded SOI or Silicon silicon DWB wafers with cavities performed within the wafer 

 ---- Multiple SOI 2 or 3 or more layers of SOI designed around your process 

 ---- Structured wafers silicon wafers or SOI with buried electrode layers, vias, interconnect already incorporated 

详细请登录网站