ixys艾塞斯脉冲发生器IXBOD1-12R高压开关代理广泛用于：瞬态电压保护 高压开关 撬棍 激光器 脉冲发生器 IXYS艾塞斯RF MOSFET 还适合核磁成像,高压脉冲发生器等高频应用!

　IXYS公司的RF MOSFET是VHF通讯,FM广播用固态射频电源等应用的理想器件.Z-MOS MOSFET是采用IXYS独特的工艺生产的大功率高频高压稳定的高频功率管.该系列产品是为大功率的射频应用线路专门设计的,结合了低离散性,高压(可工作在150V)的MOSFET优点使它有无可匹敌的性价比,采用有出色的RF特性和散热特性DE系列封装.

　　另外,IXYS还能以DE系列封装提供传统的50V的RF MOSFET,虽然以TYCO等公司的产品封装略有不同,但IXYS的DE封装能提升器件的RF特性,有更好的热特性,同时在成本方面是采用传统封装的器件就无法竞争的!DE封装的特点是插入电感低(1.5nH),偏平封装(高度很低),R(theta)JHS仅0.17c/w!从而使他能工作在更高频率和更高的功率处理能力. 

：晶闸管
R1：限流电阻（0 - 200Ω）D1：系列二极管（快恢复二极管）D3：保护二极管 D4：齐纳二极管，典型的VZ：3-6V R2，C2：防止寄生触发;
推荐值：R2：100 - 1000Ω C2：22 - 47nF的 R3，C3：晶闸管的缓冲网.

通告
1.IXBOD元素有一个反向阻断10V的电压。
2.对于较高的反向电压快速，软恢复二极管必须串联连接（图9）。此二极管必须满足图10的条件.

IXYS相关型号
IXBOD1-06 IXBOD1-07 IXBOD1-08 IXBOD1-09 IXBOD1-10 IXBOD1-12R IXBOD1-12RD IXBOD1-13R IXBOD1-13RD IXBOD1-14R IXBOD1-14RD IXBOD1-15R IXBOD1-15RD IXBOD1-16R IXBOD1-16RD IXBOD1-17R IXBOD1-17RD IXBOD1-18R IXBOD1-18RD IXBOD1-19R IXBOD1-19RD IXBOD1-20R IXBOD1-20RD IXBOD1-21R IXBOD1-21RD IXBOD1-22R IXBOD1-22RD IXBOD1-23R IXBOD1-23RD IXBOD1-24R IXBOD1-24RD IXBOD1-25R IXBOD1-25RD IXBOD1-26R IXBOD1-26RD IXBOD1-28R IXBOD1-28RD IXBOD1-30R IXBOD1-30RD IXBOD1-32R IXBOD1-32RD IXBOD1-34R IXBOD1-36R IXBOD1-38R IXBOD1-40R IXBOD1-42R