IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。                                                                                                            

英飞凌(infineon)  IGBT(6U+温度检测):FS25R12W1T4、FS35R12W1T4、FS10R12VT3、FS15R12VT3、FS10R12YT3、FS15R12YT3、FS25R12YT3、FS35R12YT3、FS75R12KT3、FS75R12KT3G、FS100R12KT3、FS150R12KT3、FS25R12KE3G、FS35R12KE3G、FS50R12KE3、FS75R12KE3、FS75R12KE3G、FS100R12KE3、FS150R12KE3、FS150R12KE3G、FS225R12KE3、FS300R12KE3、FS450R12KE3、FS75R12KE3_B3、FS100R12KE3_B3、FS75R12KS4、FS100R12KS4、FS300R12KF4、FS400R12KF4、FS300R16KF4、BSM50GD170DLC、BSM75GD170DLC、FS50R17KE3_B17、FS75R17KE3、FS100R17KE3、FS150R17KE3G、FS225R17KE3、FS300R17KE3、FS450R17KE3、FS25R12KT3、FS35R12KT3、FS50R12KT3、FS100R12KT4G、FS100G12KT4G_B11、FS150R12KT4、FS150R12KT4_B11、FS225R12KE4、FS300R12KE4、FS450R12KE4、FS20R06W1E3、FS30R06W1E3、FS50R06W1E3、FS10R06VL4_B2、FS15R06VL4_B2、BSM10R06XL4、FS15R06XL4、FS20R06XL4、FS30R06XL4、FS6R06VE3_B2、FS30R06XE3、FS50R06YE3、FS75R06KE3、FS100R06KE3、FS150R06KE3、FS150R06KE3_B4、FS200R06KE3、FS50R06YL4、FS10R06VE3、FS10R06VE3_B2、FS15R06VE3、FS20R06VE3、FS15R06VE3_B2、FS20R06VE3_B2、FS30R06VE3、FS15R06XE3.