IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域.

英飞凌(infineon)  IGBT(6U):BSM10GD120DN2、BSM15GD120DN2、BSM25GD120DN2、BSM35GD120DN2、BSM50GD120DN2G、BSM50GD120DN2、BSM75GD120DN2、BSM100GD120DN2、BSM10GD120DN2E3224、BSM25GD120DN2E3224、BSM35GD120DN2E3224、BSM50GD120DN2E3226、BSM50GD120DLC、BSM75GD120DLC、BSM100GD120DLC、BSM15GD120DLCE3224、BSM25GD120DLCE3224、BSM35GD120DLCE3224、、BSM30GD60DLC、BSM50GD60DLC、BSM75GD60DLC、BSM100GD60DLC、BSM150GD60DLC、BSM200GD60DLC、BSM20GD60DLCE3224、BSM30GD60DLCE3224、BSM50GD60DLCE3224.

英飞凌(infineon)  IGBT(IGBT+二极管):FD600R12KF4、FD200R12KE3、DF200R12KE3、FD300R12KE3、FD300R12KE3、FD400R12KE3、FD400R12KE3、BSM100GAL120DLCK、BSM150GAL120DLC、BSM200GAL120DLC、BSM300GAL120DLC、BSM25GAL120DN2、BSM50GAL120DN2、BSM75GAL120DN2、BSM100GAL120DN2、BSM150GAL120DN2、BSM200GAL120DN2、BSM75GAR120DN2、BSM100GAR120DN2、BSM150GAR120DN2、BSM200GAR120DN2、BSM300GAR120DLC、FD400R16KF4、FD600R16KF4、FD600R17KE3_B2、FD800R17KE3_B2、FD1200R17KE3、FD401R17KF6C、FD600R17KF6C_B2、FD800R17KF6C_B2. 010
英飞凌(infineon) IGBT(4U):F4-25R12NS4、F4-50R12KS4、F4-75R12KS4、F4-100R12KS4、F4-150R12KS4、F4-75R12MS4、F4-50R12MS4、F4-400R12KS4_B2.