BBO电光Q开关，KD*P电光Q开关，RTP电光Q开关，LiNbO3电光Q开关。

BBO电光Q开关（BBO普克尔盒）

BBO(偏硼酸钡β-BaB2O4)晶体具有极低的吸收系数，弱的压电振铃效应，更宽的光谱透过范围（210-2000nm）等优点。对于高平均功率及高重复频率的Q开关和再生放大系统，BBO 普克尔盒是很好的选择。与KD*P和LN晶体相比，虽然BBO晶体的电光系数小，半波电压相对高，但它在高平均功率系统中开关的关断性能更好。相对于RTP电光调制晶体，BBO晶体具有更高的消光比、抗损伤阈值和温度时应系，有利于提高激光输出功率稳定性。因此，由BBO晶体制成的电光Q开关常被应用于高重复频率（高达833KHz），高功率（高达900W）的电光调Q激光器，腔倒空调Q激光器和全固态皮秒、飞秒再生放大系统中。由于电光Q开关的的关断时间（<4ns）远短于声光Q开关的关断时间（<100ns）。因此，采用BBO电光 Q开关的全固态短腔调Q激光器可产生脉冲宽度小于4ns的高能激光，是作为电光内雕机的光源。在无需水冷的情况下，BBO电光Q开关可关断并承受高达150W的腔内震荡光功率（激光输出功率高达50W）。

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