OCXO Oven controlled Crystal Oscillators 恒温晶振
一、应用
通讯、航空、航天、军事、移动通信、数字程控交换机、网络传输、接入网、光传输、雷达、导航、电子对抗、无线通信、测试设备、锁相环电路SDH、SONET、ATM、WLL、PCS基站、蜂窝基站、频率合成器
二、主要技术指标
1)Frequency Range 频率范围:1.00-160.00MHz
2)SC Cut OCXO AT Cut OCXO
3)Initial Calibration 频率准确度: A ≤±0.5ppm @25℃ B ≤±0.1ppm @25℃
C ≤±0.05ppm @25℃ D ≤±0.01ppm @25℃
4)Frequency Adjustment 频率调整: 1 ≥ ±0.5ppm 2 ≥ ±1.0ppm 3 ≥ ±3.0ppm
4 ≥ ±5.0ppm 5 ≥ ±7.0ppm 6 ≥ ±10ppm
5)Control Voltage压控电压 ： 0 - 5V
6)Operating Temperature 工作温度范围: E 0-+50℃ F -10-+60℃ G -20-+70℃
H -30-+75℃ I -40-+75℃ J -40-+85℃
7)Frequency Stability 温度频率稳定度: 1 ppb = ppm 1/1000
K ±0.1ppm L ±0.05ppm M ±0.03ppm N ±0.02ppm
O ±0.01ppm P ±0.03ppm Q ±0.005ppm R ±0.001ppm
8)Output Waveform 输出波形: 1 HCMOS 2 TTL 3 ACMOS
4 Sine 输出电平 ≥+2dBm ≥+5dBm @ 50?
谐波抑制 ≤-20dBc ≤-30dBc @ 50?
杂波抑制 ≤-70dBc ≤-75dBc @ 50?
5 Clipped Sine ≥1Vp-p 10k?//10pF
9)Supply Voltage 工作电压范围: S 3.3V T 5.0V U 12.0V W 15.0V
10)Power Consumption 功耗：Warm up 开机 ≤3.5W-7.0W
@25℃ 稳定 ≤1.2W-3.5W
11)Phase Noise 相位噪声:
|
Frequency
|
10Hz
|
100Hz
|
1kHz
|
10kHz
|
100kHz
|
|
10.0MHz
|
–1120dBc/Hz
|
–150dBc/Hz
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–160dBc/Hz
|
–165dBc/Hz
|
–170dBc/Hz
|
|
10.0MHz
|
–120dBc/Hz
|
–140dBc/Hz
|
–150dBc/Hz
|
–155dBc/Hz
|
–160dBc/Hz
|
|
10.0MHz
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–115dBc/Hz
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–135dBc/Hz
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–145dBc/Hz
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–150dBc/Hz
|
–155dBc/Hz
|
|
10.0MHz
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–100dBc/Hz
|
–130dBc/Hz
|
–140dBc/Hz
|
–145dBc/Hz
|
–150dBc/Hz
|
12)Ageing 频率老化率: ±0.1ppm maximum in first year ±1.0ppm maximum for 10 years
±0.5ppm maximum in first year ±2.0ppm maximum for 10 years
13)Package Outline 封装、尺寸:
N DIP 21*13*12mm O DIP 20*20*10mm P DIP 25*19*15mm Q DIP 30*30*16mm
R DIP 36*27*16mm S DIP 38*38*16mm T DIP 50*50*16mm U SMD 25*22*14mm
14)Storage Temperature 储存温度范围： -55-+90℃
三、产品定型 RTO-10MHZ-SC A 1 J K 1 U N
|
|
频率
|
晶体
|
准确度
|
频率
调整
|
温度范围
|
稳定性
|
波形
|
电压
|
尺寸
|
|
RTO
|
10
|
SC
|
A
|
1
|
J
|
K
|
1
|
U
|
N
|
|
RTO
|
10MHZ
|
SC cut
|
±0.5ppm
|
±0.5ppm
|
-40-+85
℃
|
±0.1ppm
|
HCMOS
|
12V
|
DIP 21*13*12
mm
|
,
OCXO Oven controlled Crystal Oscillators 恒温晶振
一、应用
通讯、航空、航天、军事、移动通信、数字程控交换机、网络传输、接入网、光传输、雷达、导航、电子对抗、无线通信、测试设备、锁相环电路SDH、SONET、ATM、WLL、PCS基站、蜂窝基站、频率合成器
二、主要技术指标
1)Frequency Range 频率范围:1.00-160.00MHz
2)SC Cut OCXO AT Cut OCXO
3)Initial Calibration 频率准确度: A ≤±0.5ppm @25℃ B ≤±0.1ppm @25℃
C ≤±0.05ppm @25℃ D ≤±0.01ppm @25℃
4)Frequency Adjustment 频率调整: 1 ≥ ±0.5ppm 2 ≥ ±1.0ppm 3 ≥ ±3.0ppm
4 ≥ ±5.0ppm 5 ≥ ±7.0ppm 6 ≥ ±10ppm
5)Control Voltage压控电压 ： 0 - 5V
6)Operating Temperature 工作温度范围: E 0-+50℃ F -10-+60℃ G -20-+70℃
H -30-+75℃ I -40-+75℃ J -40-+85℃
7)Frequency Stability 温度频率稳定度: 1 ppb = ppm 1/1000
K ±0.1ppm L ±0.05ppm M ±0.03ppm N ±0.02ppm
O ±0.01ppm P ±0.03ppm Q ±0.005ppm R ±0.001ppm
8)Output Waveform 输出波形: 1 HCMOS 2 TTL 3 ACMOS
4 Sine 输出电平 ≥+2dBm ≥+5dBm @ 50?
谐波抑制 ≤-20dBc ≤-30dBc @ 50?
杂波抑制 ≤-70dBc ≤-75dBc @ 50?
5 Clipped Sine ≥1Vp-p 10k?//10pF
9)Supply Voltage 工作电压范围: S 3.3V T 5.0V U 12.0V W 15.0V
10)Power Consumption 功耗：Warm up 开机 ≤3.5W-7.0W
@25℃ 稳定 ≤1.2W-3.5W
11)Phase Noise 相位噪声:
|
Frequency
|
10Hz
|
100Hz
|
1kHz
|
10kHz
|
100kHz
|
|
10.0MHz
|
–1120dBc/Hz
|
–150dBc/Hz
|
–160dBc/Hz
|
–165dBc/Hz
|
–170dBc/Hz
|
|
10.0MHz
|
–120dBc/Hz
|
–140dBc/Hz
|
–150dBc/Hz
|
–155dBc/Hz
|
–160dBc/Hz
|
|
10.0MHz
|
–115dBc/Hz
|
–135dBc/Hz
|
–145dBc/Hz
|
–150dBc/Hz
|
–155dBc/Hz
|
|
10.0MHz
|
–100dBc/Hz
|
–130dBc/Hz
|
–140dBc/Hz
|
–145dBc/Hz
|
–150dBc/Hz
|
12)Ageing 频率老化率: ±0.1ppm maximum in first year ±1.0ppm maximum for 10 years
±0.5ppm maximum in first year ±2.0ppm maximum for 10 years
13)Package Outline 封装、尺寸:
N DIP 21*13*12mm O DIP 20*20*10mm P DIP 25*19*15mm Q DIP 30*30*16mm
R DIP 36*27*16mm S DIP 38*38*16mm T DIP 50*50*16mm U SMD 25*22*14mm
14)Storage Temperature 储存温度范围： -55-+90℃
三、产品定型 RTO-10MHZ-SC A 1 J K 1 U N
|
|
频率
|
晶体
|
准确度
|
频率
调整
|
温度范围
|
稳定性
|
波形
|
电压
|
尺寸
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|
RTO
|
10
|
SC
|
A
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1
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J
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K
|
1
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U
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N
|
|
RTO
|
10MHZ
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SC cut
|
±0.5ppm
|
±0.5ppm
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-40-+85
℃
|
±0.1ppm
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HCMOS
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12V
|
DIP 21*13*12
mm
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,
OCXO Oven controlled Crystal Oscillators 恒温晶振
一、应用
通讯、航空、航天、军事、移动通信、数字程控交换机、网络传输、接入网、光传输、雷达、导航、电子对抗、无线通信、测试设备、锁相环电路SDH、SONET、ATM、WLL、PCS基站、蜂窝基站、频率合成器
二、主要技术指标
1)Frequency Range 频率范围:1.00-160.00MHz
2)SC Cut OCXO AT Cut OCXO
3)Initial Calibration 频率准确度: A ≤±0.5ppm @25℃ B ≤±0.1ppm @25℃
C ≤±0.05ppm @25℃ D ≤±0.01ppm @25℃
4)Frequency Adjustment 频率调整: 1 ≥ ±0.5ppm 2 ≥ ±1.0ppm 3 ≥ ±3.0ppm
4 ≥ ±5.0ppm 5 ≥ ±7.0ppm 6 ≥ ±10ppm
5)Control Voltage压控电压 ： 0 - 5V
6)Operating Temperature 工作温度范围: E 0-+50℃ F -10-+60℃ G -20-+70℃
H -30-+75℃ I -40-+75℃ J -40-+85℃
7)Frequency Stability 温度频率稳定度: 1 ppb = ppm 1/1000
K ±0.1ppm L ±0.05ppm M ±0.03ppm N ±0.02ppm
O ±0.01ppm P ±0.03ppm Q ±0.005ppm R ±0.001ppm
8)Output Waveform 输出波形: 1 HCMOS 2 TTL 3 ACMOS
4 Sine 输出电平 ≥+2dBm ≥+5dBm @ 50?
谐波抑制 ≤-20dBc ≤-30dBc @ 50?
杂波抑制 ≤-70dBc ≤-75dBc @ 50?
5 Clipped Sine ≥1Vp-p 10k?//10pF
9)Supply Voltage 工作电压范围: S 3.3V T 5.0V U 12.0V W 15.0V
10)Power Consumption 功耗：Warm up 开机 ≤3.5W-7.0W
@25℃ 稳定 ≤1.2W-3.5W
11)Phase Noise 相位噪声:
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Frequency
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10Hz
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100Hz
|
1kHz
|
10kHz
|
100kHz
|
|
10.0MHz
|
–1120dBc/Hz
|
–150dBc/Hz
|
–160dBc/Hz
|
–165dBc/Hz
|
–170dBc/Hz
|
|
10.0MHz
|
–120dBc/Hz
|
–140dBc/Hz
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–150dBc/Hz
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–155dBc/Hz
|
–160dBc/Hz
|
|
10.0MHz
|
–115dBc/Hz
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–135dBc/Hz
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–145dBc/Hz
|
–150dBc/Hz
|
–155dBc/Hz
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10.0MHz
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–100dBc/Hz
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–130dBc/Hz
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–140dBc/Hz
|
–145dBc/Hz
|
–150dBc/Hz
|
12)Ageing 频率老化率: ±0.1ppm maximum in first year ±1.0ppm maximum for 10 years
±0.5ppm maximum in first year ±2.0ppm maximum for 10 years
13)Package Outline 封装、尺寸:
N DIP 21*13*12mm O DIP 20*20*10mm P DIP 25*19*15mm Q DIP 30*30*16mm
R DIP 36*27*16mm S DIP 38*38*16mm T DIP 50*50*16mm U SMD 25*22*14mm
14)Storage Temperature 储存温度范围： -55-+90℃
三、产品定型 RTO-10MHZ-SC A 1 J K 1 U N
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频率
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晶体
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准确度
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频率
调整
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温度范围
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稳定性
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波形
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电压
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尺寸
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RTO
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10
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SC
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A
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1
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J
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K
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1
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U
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N
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RTO
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10MHZ
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SC cut
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±0.5ppm
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±0.5ppm
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-40-+85
℃
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±0.1ppm
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HCMOS
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12V
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DIP 21*13*12
mm
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