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肖特基与普通二极管比较
发布日期:2013-03-07

                 肖特基与普通二极管比较

肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒,以产生整流的效果,和一般二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低,而且可以提高切换的速度。

肖特基二极体的导通电压非常低。一般的二极管在电流流过时,会产生约 0.7-1.7 伏特的电压降,不过肖特基二极管的电压降只有 0.15-0.45 伏特,因此可以提升系统的效率。

肖特基二极管和一般二极管的差异在于反向恢复时间,也就是二极管由流过正向电流的导通状态,切换到不导通状态所需的时间。一般二极管的反向恢复时间大约是数百 nS,若是高速二极管则会低于一百 nS,肖特基二极管没有反向恢复时间,因此小信号的肖特基二极管切换时间约为数十 pS,特殊的大容量肖特基二极管切换时间也才数十 pS。由于一般二极管在反向恢复时间内会因反向电流而造成EMI噪声。肖特基二极管可以立即切换,没有反向恢复时间及反相电流的问题。

 

半导体

器件名称

典型产品

   

平均

整流

电流IA(A)

正向导通电压

反向

恢复

时间trr(ns)

反向

峰值

电压VEM(V)

典型值

VF(V)

VFM(V)

肖特基二极管

MBR30100

30

0.4

0.8

<10

100

VF肖特基

SV1045

10

0.35

0.8

<10

45

超快恢复二极管

SF1006

10

0.5

1.0

35

600

快恢复二极管

D92-02

30

0.5

1.0

400

200

硅高频整流管

PR8003

3

0.5

1.2

400

800

硅高速开关二极管

1N4148

0.15

0.5

1.0

4

100

 

上表列出了肖特基二极管和超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见,除了上面提到的的性能之外肖特基二极管整流电流比效高,硅高速开关二极管的trr虽极低,但平均整流电流很小,不能作大电流整流用

因此总结为:肖特基二极管,它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

 

 

 

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