硅桥KBPC2510价格
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我们公司专业研发制造:二极管模块、可控硅模块、快恢复二极管模块、IGBT模块,在线智能调功模块等各類型功率模块;为客戶提供完整的電力节能解決方案。公司已能生产30多个系列、约400多种型号规格和60多种内部接线方式的可控硅模块、整流模块和超快恢复二极管模块等各种桥臂模;单三相整流桥模块,单三相交流开关模块,绝缘型降压硅堆模块以及三相整流桥,可控硅集成模块和电焊机及充电机专用硅整流组件等。
我们公司生产的功率模块是采用德国半导体公司成熟制造技术(德国的IXYS公司制造的芯片);芯片封装基地在湖北襄阳市高新技术科技园;模块制造基地在浙江华晶科技园;铜底板采用韩国优质紫铜制造;套件为自己公司生产采用一次性原料生产;产品性能达国际水平。
我司单相小方桥模块系列:单相整流桥
1、小方桥系列WKBPC.WGBPC.WQL
功率:15A ≤ IFAV ≤ 50A;
600 ≤ VRRM ≤ 1600V
常用型号IFAV=15A、25A、35A、50A、
VRRM=600V、800V、1000V、1200V、1600V
2、模块系列MDQ
功率:30A ≤ IFAV ≤ 500A;
600 ≤ VRRM ≤ 2500V
常用型号IFAV=30A、40A、50A、75A、100A、150A、200A、300、400A、500A
VRRM=600V、800V、1000V、1200V、1600V、2000V、2500V
公司还销售产品:
平板普通晶闸管(可控硅):KP100A-5000A/400V-5000V
平板快速晶闸管(可控硅):KK200A-3500A/1000V-3000V
平板高频晶闸管(可控硅):KG(KA)200A-1500A/1000V-2000V
平板双向晶闸管(可控硅):KS100A-1500A/400V-3000V
螺栓普通晶闸管(可控硅):KP5A-500A/200V-2000V
平板普通硅整流管:ZP100A-12000A/400V-5000V
螺栓普通硅整流管:ZP5A-500A/200V-2000V
晶闸管模块:MTC,MTA,MTK,MTX(25A-800A/800V-2500V)
整流管模块:MDC,MDA,MDK(25A-800A/800V-2500V)
晶闸管整流管混合模块:MFC,MFA,MFK(25A-800A/800V-2500V)
整流桥模块:MDS60A-500A,MDQ60A-500A(800V-2000V)
各种配套的散热器:SS,SF,SZ,SL,PRD等全系列
欢迎经销商,代理商,厂家,终端客户来电来函垂询!!
可控硅、整流桥、模块等电力半导体制造专家!
单/三固态继电器系列 SSR-1/SSR-3
工业级固态继电器 H360**/H3100Z/H3200**/H38**/H3120**
固态调压器系列产品 SSVR 2W 270K 10A-100A
螺栓型普通整流二极管:ZP5A-500A/100V-2000V
螺栓普通晶闸管(可控硅):KP5A-500A/100V-2000V
平板型普通整流二极管:ZP100A-5000A/100V-5000V
平板型快速整流二极管:ZK100A-5000A/100V-5000V
平板型普通晶闸管(可控硅):KP100A-5000A/100V-5000V
平板型快速晶闸管(可控硅):KK100A-3500A/100V-3000V
平板型双向晶闸管(可控硅):KS100A-1500A / 100V-3000V
平板型高频晶闸管(可控硅):KG(KA)100A-1500A/100V-2000V
晶闸管(可控硅)模块:MTC,MTA,MTK,MTX(25A-800A/800V-2000V)
整流管模块:MDC、MDA、MDK、MDS、MDQ(25A-800A/800V-2000V)
西门康可控硅,晶闸管模块SKKT106/16E
晶闸管整流管混合模块:MFC、MFA、MFK、MFQ(25A-800A/800V-2000V)
电源技术与功率半导体器件制造技术互依互存,共同发展。从五十年代初晶闸管整流器问世,就揭开了功率半导体器件制造技术和电源技术长足发展的序幕,并奠定了现代电力电子学的基础。电力电子技术包含了电力电子器件制造技术和电力电子线路与装置两大部分,其中电力电子器件及其应用技术是基础。
电源和功率半导体器件是重要的基础科学和产业,从人们的日常生活到工、农业生产、国防建设直至科学研究,都离不开电源。而功率半导体器件制造技术的发展又支持了电源技术的发展,反之,电源技术的发展又对功率半导体器件提出了更高的要求。因此,电源技术和半导体功率器件制造技术正是在这种相依相存的环境中逐步发展起来的。
半个世纪以来,电源技术与半导体功率器件制造技术的发展不断创新。经历了从真空闸流管、真空三极管到半导二极管、三极管、晶闸管、功率场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极性晶体管(IGBT)、栅控晶闸管(MCT)、等不同时代的新器件。总之,半导体功率器件正朝着高频、大电流、高电压、栅控可关断方向发展。功率器件的发展促进了电源技术的升级换代,同样电源技术也正在朝着高频、大容量、模块化、高稳定度、高效率,并能有效地抑制电网谐波和环境噪声污染方向发展。
未来,可以相信在新理论、新技术的引导下;在新材料、新器件的支持下,电源和半导体功率器件将会进入更广阔的发展空间。
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