我司西玛华晶公司销售逆变IGBT模块各型号如下：
逆变IGBT模块LUH50G1202Z 逆变IGBT模块LUH75G1202Z
逆变IGBT模块LUH100G1202Z
逆变IGBT模块LUH75G1202Z 逆变IGBT模块LUH150G1202Z
逆变IGBT模块LWH100G1204Z
逆变IGBT模块LWH200G1204 逆变IGBT模块LWH300G1204
逆变IGBT模块LWH200G1202
逆变IGBT模块LWH300G1202 逆变IGBT模块LWH200G1204
逆变IGBT模块LWH300G1204
逆变模块IGBT模块LWH300G1202特点：
1、为每一项应用提供个性化的设备。
2、嵌入式保护功能。
防静电和瞬态电压保护。
击穿保护。
3、拥有阳性温度系数的低饱和降压。
逆变模块IGBT模块LWH300G1202典型应用：
工业电动机驱动器
焊接机
UPS/EPS
感应加热
公司还销售功率模块产品：
平板普通晶闸管(可控硅)：KP100A-5000A/400V-5000V
平板快速晶闸管(可控硅)：KK200A-3500A/1000V-3000V
平板高频晶闸管(可控硅)：KG(KA)200A-1500A/1000V-2000V
平板双向晶闸管(可控硅)：KS100A-1500A/400V-3000V
螺栓普通晶闸管(可控硅)：KP5A-500A/200V-2000V
平板普通硅整流管：ZP100A-12000A/400V-5000V
螺栓普通硅整流管：ZP5A-500A/200V-2000V
晶闸管模块:MTC,MTA,MTK,MTX(25A-800A/800V-2500V)
整流管模块:MDC,MDA,MDK(25A-800A/800V-2500V)
晶闸管整流管混合模块:MFC,MFA,MFK(25A-800A/800V-2500V)
整流桥模块:MDS60A-500A,MDQ60A-500A(800V-2000V)
各种配套的散热器:SS,SF,SZ,SL,PRD等全系列
欢迎经销商，代理商，厂家，终端客户来电来函垂询!!
可控硅、整流桥、模块等电力半导体制造专家!
单/三固态继电器系列 SSR-1/SSR-3
工业级固态继电器 H360**/H3100Z/H3200**/H38**/H3120**
固态调压器系列产品 SSVR 2W 270K 10A-100A
螺栓型普通整流二极管:ZP5A-500A/100V-2000V
螺栓普通晶闸管(可控硅):KP5A-500A/100V-2000V
平板型普通整流二极管:ZP100A-5000A/100V-5000V
平板型快速整流二极管:ZK100A-5000A/100V-5000V
平板型普通晶闸管(可控硅):KP100A-5000A/100V-5000V
平板型快速晶闸管(可控硅):KK100A-3500A/100V-3000V
平板型双向晶闸管(可控硅):KS100A-1500A / 100V-3000V
平板型高频晶闸管(可控硅):KG(KA)100A-1500A/100V-2000V
晶闸管(可控硅)模块:MTC,MTA,MTK,MTX(25A-800A/800V-2000V)
整流管模块:MDC、MDA、MDK、MDS、MDQ(25A-800A/800V-2000V)
西门康可控硅,晶闸管模块SKKT106/16E
晶闸管整流管混合模块:MFC、MFA、MFK、MFQ(25A-800A/800V-2000V)
智能功率模块(IPM)是Intelligent Power Module的缩写，是一种先进的功率开关器件，具有GTR(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点,以及MOSFET(场效应晶体管)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。而且IPM内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路，使用起来方便,不仅减小了系统的体积以及开发时间，也大大增强了系统的可靠性，适应了当今功率器件的发展方向——模块化、复合化和功率集成电路(PIC)，在电力电子领域得到了越来越广泛的应用。
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成，如图1所示。其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，中大功率的IPM使用陶瓷绝缘。
IPM内置的驱动和保护电路使系统硬件电路简单、可靠，缩短了系统开发时间，也提高了故障下的自保护能力。与普通的IGBT模块相比，IPM在系统性能及可靠性方面都有进一步的提高。 保护电路可以实现控制电压欠压保护、过热保护、过流保护和短路保护。如果IPM模块中有一种保护电路动作，IGBT栅极驱动单元就会关断门极电流并输出一个故障信号(FO)。各种保护功能具体如下:(1)控制电压欠压保护(UV):IPM使用单一的+15V供电，若供电电压低于12．5V，且时间超过toff=10ms，发生欠压保护，封锁门极驱动电路，输出故障信号。(2)过温保护(OT):在靠近IGBT芯片的绝缘基板上安装了一个温度传感器，当IPM温度传感器测出其基板的温度超过温度值时，发生过温保护，封锁门极驱动电路，输出故障信号。(3)过流保护(OC):若流过IGBT的电流值超过过流动作电流，且时间超过toff，则发生过流保护，封锁门极驱动电路，输出故障信号。为避免发生过大的di/dt，大多数IPM采用两级关断模式。其中，VG为内部门极驱动电压，ISC为短路电流值，IOC为过流电流值，IC为集电极电流，IFO为故障输出电流。(4)短路保护(SC):若负载发生短路或控制系统故障导致短路，流过IGBT的电流值超过短路动作电流，则立刻发生短路保护，封锁门极驱动电路，输出故障信号。跟过流保护一样，为避免发生过大的di/dt，大多数IPM采用两级关断模式。为缩短过流保护的电流检测和故障动作间的响应时间，IPM内部使用实时电流控制电路(RTC)，使响应时间小于100ns，从而有效抑制了电流和功率峰值，提高了保护效果。 当IPM发生UV、OC、OT、SC中任一故障时，其故障输出信号持续时间tFO为1．8ms(SC持续时间会长一些)，此时间内IPM会封锁门极驱动，关断IPM;故障输出信号持续时间结束后，IPM内部自动复位，门极驱动通道开放。 可以看出，器件自身产生的故障信号是非保持性的，如果tFO结束后故障源仍旧没有排除，IPM就会重复自动保护的过程，反复动作。过流、短路、过热保护动作都是非常恶劣的运行状况，应避免其反复动作，因此仅靠IPM内部保护电路还不能完全实现器件的自我保护。要使系统真正安全、可靠运行，需要辅助的外围保护电路。
驱动电路是IPM主电路和控制电路之间的接口，良好的驱动电路设计对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要意义。
IGBT的驱动设计问题亦即MOSFET的驱动设计问题，设计时应注意以下几点:①IGBT栅极耐压一般在±20V左右，因此驱动电路输出端要给栅极加电压保护，通常的做法是在栅极并联稳压二极管或者电阻。前者的缺陷是将增加等效输入电容Cin，从而影响开关速度，后者的缺陷是将减小输入阻抗，增大驱动电流，使用时应根据需要取舍。②尽管IGBT所需驱动功率很小，但由于MOSFET存在输入电容Cin，开关过程中需要对电容充放电，因此驱动电路的输出电流应足够大，这一点设计者往往忽略。假定开通驱动时，在上升时间tr内线性地对MOSFET输入电容Cin充电，则驱动电流为Igt=CinUgs/tr，其中可取tr=2。2RCin，R为输入回路电阻。③为可靠关闭IGBT，防止擎住现象，要给栅极加一负偏压，因此采用双电源供电。
IGBT的分立式驱动电路中分立元件多，结构复杂，保护功能比较完善的分立电路就更加复杂，可靠性和性能都比较差，因此实际应用中大多数采用集成式驱动电路。日本富士公司的EXB系列集成电路、法国汤姆森公司的UA4002集成电路等应用都很广泛。
IPM对驱动电路输出电压的要求很严格，具体为:①驱动电压范围为15V±10%?熏电压低于13．5V将发生欠压保护，电压高于16．5V将可能损坏内部部件。②驱动电压相互隔离，以避免地线噪声干扰。③驱动电源绝缘电压至少是IPM极间反向耐压值的两倍(2Vces)。④驱动电流可以参阅器件给出的20kHz驱动电流要求，根据实际的开关频率加以修正。⑤驱动电路输出端滤波电容不能太大，这是因为当寄生电容超过100pF时，噪声干扰将可能误触发内部驱动电路。
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