超快恢复二极管模块各型号如下：
超快恢复二极管模块W-MUR100A(100-600)V
超快恢复二极管模块W-MUR200A(100-600)V

超快恢复二极管模块W-MUR300A(100-600)V
超快恢复二极管模块W-MUR400A(100-600)V

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超快恢复二极管模块W-MDC55A(100-600)V
超快恢复二极管模块W-MDC75A(100-600)V

超快恢复二极管模块W-MDC100A(100-600)V
超快恢复二极管模块W-MDC150A(100-600)V
超快恢复二极管模块W-MDC200A(100-600)V
超快恢复二极管模块W-MDC300A(100-600)V

超快恢复二极管模块W-MDA55A(100-600)V
超快恢复二极管模块W-MDA75A(100-600)V

超快恢复二极管模块W-MDA100A(100-600)V
超快恢复二极管模块W-MDA150A(100-600)V
超快恢复二极管模块W-MDA200A(100-600)V
超快恢复二极管模块W-MDA300A(100-600)V

超快恢复二极管模块W-MDK55A(100-600)V
超快恢复二极管模块W-MDK75A(100-600)V

超快恢复二极管模块W-MDK100A(100-600)V
超快恢复二极管模块W-MDK150A(100-600)V
超快恢复二极管模块W-MDK200A(100-600)V
超快恢复二极管模块W-MDK300A(100-600)V

超快恢复二极管模块特点：
1、超快软恢复

2、内置双二极管

3、低正向压降

4、低开关损耗

5、175℃工作结温

超快恢复二极管模块典型应用：
1、开关电源

2、逆变器

3、续流二极管

可控硅有一重要个特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在额定结温和门极断路条件下，使可控硅从断态转入通态的电压上升率。若电压上升率过大，超过了可控硅的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于可控硅的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为可控硅可以看作是由三个PN结组成。

在可控硅处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当可控硅阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果可控硅在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的下，可控硅误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。，对加到可控硅上的阳极电压上升率应有一定的限制。

为了限制电路电压上升率过大，确保可控硅安全运行，常在可控硅两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的（变压器漏感或负载电感），所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏可控硅。同时，避免电容器通过可控硅放电电流过大，造成过电流而损坏可控硅。

由于可控硅过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。

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中国浙江制造基地：浙江华晶科技园

中国湖北芯片封装基地：湖北襄阳市高新技术科技园