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三晶变频器内部元器件大剖析!


电容C1:
是吸收电容,整流电路输出是脉动的直流电压,必须加以滤波,
变压器是一种常见的电气设备, 可用来把某种数值的交变电压变换为同频率的另一数值的交变电压,也可以改变交流电的数值及变换阻抗或改变相位。
三晶变频器压敏电阻:
有三个作用,一过电压保护,二耐雷击要求,三安规测试需要.
热敏电阻:过热保护
霍尔:
安装在UVW的其中二相,用于检测输出电流值。选用时额定电流约为电机额定电流的2倍左右。
充电电阻:
作用是防止开机上电瞬间电容对地短路,烧坏储能电容开机前电容二端的电压为 0V;所以在上电(开机)的瞬间电容对地为短路状态。如果不加充电电阻在整流桥与电解电容之间,则相当于380V电源直接对地短路,瞬间整流桥通过无穷大的电流导致整流桥炸掉。一般而言变频器的功率越大,充电电阻越小。充电电阻的选择范围一般为:10-300Ω。
三晶变频器储能电容:
又叫电解电容,在充电电路中主要作用为储能和滤波。PN端的电压电压工作范围一般在 430VDC~700VDC 之间,而一般的高压电容都在 400VDC左右,为了满足耐压需要就必须是二个400VDC的电容串起来作800VDC。容量选择≥60uf/A
均压电阻:防止由于储能电容电压的不均烧坏储能电容;因为二个电解电容不可能做成完全一致,这样每个电容上所承受的电压就可能不同,承受电压高的发热严重(电容里面有等效串联电阻)或超过耐压值而损坏 。
C2电容;
吸收电容,主要作用为吸收IGBT的过流与过压能量。
(2)三晶变频器直-交部分
VT1-VT6逆变管(IGBT绝缘栅双极型功率管):构成逆变电路的主要器件,也是变频器的核心元件。把直流电逆变频率,幅值都可调的交流电。
VT1-VT6是续流二极:作用是把在电动机在制动过程中将再生电流返回直流电提供通道并为逆变管VT1-VT6在交替导通和截止的换相过程中,提供通道。
(3)控制部分:电源板、驱动板、控制板(CPU板)
电源板:开关电源电路向操作面板、主控板、驱动电路、检测电路及风扇等提供低压电源, 开关电源提供的低压电源有:±5V、±15V 、±24V向CPU其附属电路、控制电路、显示面板等提供电源。
驱动板:主要是将CPU生成的PWM脉冲经驱动电路产生符合要求的驱动信号激励IGBT输出电压。
控制板(CPU板):也叫CPU板相当人的大脑,处理各种信号以及控制程序等部分

 
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