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公司依靠科技创新谋求发展,采用的先进生产设备和检测仪器,专业从事软磁铁氧体材料、电子元件及组件生产、变压器磁芯等产品研发、制造和销售。
本公司专业生产2K材质,PC30材质,PC40材质, EE10 EE12.5 EE12.7 EE13 EE16 EE19 EE25 系列等品种,产品广泛应用于各类电子变压器、整流器、电感器等。产品远销欧洲、非洲、东南亚等地区。
公司建立伊始,就确立了坚持以人为本、创新高效、科学管理的工作作风和以市场为导向,以科技为依托的长远发展规划,秉承“质量可靠、用户为本”的经营宗旨,全心全意服务客户,科迪公司愿与各界朋友真诚交流与合作!
提高磁导率的相关理论及方法
一、起始磁导率的理论概述: 微观机理: 可逆畴转,可逆畴壁位移 μi = μi 转+ μi位 对于一般烧结铁氧体: 1.如内部气孔较多,密度低,壁移难, μi 转为主; 2.如晶粒大,气孔少,密度高,以壁移为主. 磁化的难易程度决定于磁化动力(MsH)与阻滞之比,比值高则易磁化;反之难磁化. 二、理论上提高磁导率的条件: 1.必要条件: 1>.Ms要高( ∝Ms2 ); 2>.k1, ?λs→0; 2.充分条件: 1>.原料杂质少, ? ?; 2>.密度要提高 ( P ↓),即材料晶粒尺寸要大( D↓); 3>.结构要均匀 (晶界阻滞↓); 4>.消除内应力 ?s·σ ↓ ; 5>.气孔↓,另相↓ (退磁场↓) 三、提高μi 的方法 (一)提高材料的Ms 尖晶石铁氧体 Ms = | MB - MA| 1.选高Ms的单元铁氧体 如:MnFe2O4(4.6--5 μB); NiFe2O4 (2.3 μB) 2.加入Zn,使MAs降低 另外: CoFe2O4 (3.7 μB)?磁晶各向异性 Fe3O4(4 μB) ?电阻率低,K也较大 Li0.5Fe2.5O4(2.5 μB) 烧结性差,10000C, Li挥发 (二).降低 k1和?s 1.选L=0的单元铁氧体; MnFe2O4 , Li0.5Fe2.5O4, MgFe2O4 2.选择L被淬灭; NiFe2O4 ,CuFe2O4 3.离子取代降低k1, λs 1>.加入Zn2+,冲淡磁性离子的磁各向异性 2>.加入Co2+:一般铁氧体k1<0, Co2+的k1>0,正 负k补偿; 3>.引入Fe2+,Fe2+在MnZn表现为正k,可正负补 偿调整k; 4>.加入Ti4+, 2Fe3+ ? Fe2++Ti4+; 5>高磁导率的成分范围 (三).显微结构: 1.结晶状态: 晶粒大小、完整性、均匀性; 2.晶界状态: 厚薄、气孔、另相; 3.晶粒内气孔,另相: 大小、多少和分布; 4. 高μ材料:大晶粒,晶粒均匀完整,晶界薄,无气孔和另相 (四).内应力对μ的影响: 1>.有磁化过程中的磁致伸缩引起,它与?s 成正比; 2>.烧结后冷却速度太快,晶格应变和离子、空位分布不均匀而产生畸变; 3>.由气孔、杂质、另相、晶格缺陷、结晶不均匀等引起的应力,与原材料纯度和工艺有关。
软磁铁氧体的损耗磁损耗产生原因
软磁材料在弱交变场,一方面会受磁化而储能,另一方面由于各种原因造成B落后于H而产生损耗,即材料从交变场中吸收能量并以热能形式耗散。
磁损耗分类
非共振区(损耗较小): 1>.涡流损耗; 由于电磁感应引起涡流而产生。 一般铁氧体ρ很高时,可忽略涡流损耗;对高μ材料,由于Fe^2+含量较高,(ρ=10^-2~10Ωm),涡流损耗较大。 降低涡流损耗的有效方法是:提高ρ(晶粒内部的ρ,晶界的ρ) 2>.磁滞损耗; 是指软磁材料在交变场中存在不可逆磁化而形成磁滞回线,所引起材料损耗,大小正比于回线面积. 原因:不可逆的壁移,使B落后于H. 降低损耗的方法: 1)低场下,防止不可逆磁化过程产生,降低损耗与提 高μi的方法一致; 但同时应注意 防止不可逆壁 移的出现 2)高场下,使不可逆磁化过程尽快完成,减少磁滞回 线面积. 3>.剩余损耗; 是软磁材料除涡流损耗和磁滞损耗以外的一切损耗,在低频弱场,主要是磁后效损耗,在高频场,共振尾巴延伸致低频场; 磁后效决定于: 扩散离子与空位浓度;与工作温度、频率有关; 扩散弛豫时间:τ= 1 / (9.6 ρ· f · exp(-θ/T)) 其中f:晶格振动频率; ρ:扩散离子浓度; θ:激活能; 离子激活能θ高,环境温度T低,则τ远较应用频率对应的τ长,损耗小; 共振区(损耗较大): 4>.尺寸损耗; 5>.畴壁损耗; 6>.自然共振
改善软磁铁氧体材料性能的方法 1.原材料:纯度高、活性好、杂质少,对MnZn材料 而言粒度在0.15~0.25 μm范围内。特别注 意半径较的大杂质混入; 2.配方除满足高Ms,更重要是满足k1≈0, λs≈0; 一般当要求μi在5000以下时,可以加入必要的添 加剂如 CaO, TiO2, LaO,CuO, Bi2O3, B2O3, BaO, V2O5,ZrO2 等,以改善损耗特性及其它性能的作用; 3.保证获得高密度及优良显微结构,造成磁化过程 以壁移为主。用二次还原烧结法和平衡气氛烧结 法是获得稳定优良性能必不可少的条件; 4.采用适当的热处理工艺进一步改善显微结构性能,促使均匀化,消除内应力,调节离子、空位的稳 定分布状态。