晶圆无尘真空氮气烘烤箱作为半导体制造的核心设备，通过真空环境（10^-3Pa~10^-5Pa）与高纯度氮气（99.9995%）的协同作用，实现晶圆在热处理过程中的零污染。

其多层石英加热系统采用PID闭环控制，温控精度达±0.5℃，配合特殊设计的湍流抑制结构，使晶圆表面温度均匀性控制在±1℃以内。在应用领域方面，该设备主要服务于12英寸晶圆的Bake制程（90-250℃）、Low-k介质固化（300-400℃）以及3D封装中的TSV退火（150-200℃）。最新一代设备集成原位监测模块，通过激光干涉仪实时检测晶圆形变，配合MES系统实现工艺参数动态补偿，使CPK值提升至1.67以上。在5nm以下制程中，其特有的纳米级微粒捕集装置可将AMC（气态分子污染物）浓度控制在0.1ppb级别，满足EUV光刻胶预处理等尖端工艺需求。