成都工业气体

化合物半导体
311　化合物半导体的应用
化合物半导体通常由III、V族元素的化合物
反应形成的化合物, 具备半导体的性质, 包括
GaAs、InP、GaN、AlGaAs等。化合物半导体的主
要用途包括光电(发光二极管LED) 、微电子(无
线通信、光纤通信、移动通信、GPS全球导航) 、
军事领域(异质结双极晶体管HBT、高电子迁移
率晶体管HEMT) 、医疗领域(UV杀菌) 等。
312　MOCVD /LED生产工艺和气体应用
金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 是1968
年由美国洛克威尔公司提出的制备化合物半导体单
晶薄膜的技术。发光二极管(LED) 是由III、V
族化合物, 如GaAs (砷化镓) 、GaP (磷化镓) 、
GaAsP (磷砷化镓) 等半导体制成的, 其核心是
pn结。因此它具有一般pn 结的特性, 即正向导
通, 反向截止、击穿特性。此外, 在一定条件下,
它还具有发光特性。在正向电压下, 电子由n区注
入p区, 空穴由p区注入n区。进入对方区域的少
数载流子一部分与多数载流子复合而发光。
　　LED的制造工艺首先是MOCVD外延片制作;
然后对LED pn 结的两个电极进行加工, 包括清
洗、蒸镀、光刻、蚀刻、熔合、研磨; 最后进行划
片、测试和分选, 就可以得到所需的LED 芯片。
MOCVD工艺用到AsH3、PH3、NH3、N2、H2 等气
体。

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