泰思特EDS 10IC元器件半导体静电放电发生器3Ctest/3C测试中国EDS 10IC静电放电发生器(EDS 10IC静电放电发生器针对人体模型(HBM)和机械模型(MM)的静电放电抗扰度试验的特点和要求专门设计，可以对LED、晶体管、IC等半导体器件进行静电抗扰度的测试。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相应标准的要求，同时完全满足上述所有标准中严酷等级的静电电压要求。
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3Ctest/3C测试中国EDS 10IC静电放电发生器(特点：
全新三代控制平台，触摸屏智能化控制。
自动识别阻容模块，并调整大电压。
低电压5V，1V步进调节电压
可完成单次或自动放电测试，可设置次数、频率等参数。
Human Body Model (HBM)
Machine Model (MM)
ESDA ANSI/ ESD STM5.2-2009
JEDEC JESD22- A114E Jan.2007
ANSI /ESD-STM5.1 2007
MIL-STD-883G 28 Feb.2006
ANSI/JEDEC JS-001-2010
JEDEC JESD22- A115C Nov.2010
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技术参数
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HBM
短路电流参数
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放电电容
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100 pF
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放电电阻
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1500
Ω
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峰值电流Ips
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0.17 A
+10% @250 V
0.33 A
+10% @500 V
0.67 A
+10% @1000 V
1.33 A
+10% @2000 V
2.67 A
+10% @4000 V
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上升时间
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2 ns~10 ns
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脉冲宽度
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150 ns
+ 20 ns
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振铃幅度
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<15%峰值电流
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HBM 500欧电阻电流参数
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峰值电流Ipr
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375 mA~550 mA @ 1000V
1.5 A~2.2 A @ 4000V
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Ipr/Ips
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≥ 63%
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上升时间
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5 ns~25 ns
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MM短路电流参数
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放电电容
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200 pF
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放电电阻
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0
ù
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峰值电流Ip1
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0.44 A
+20% @25 V
0.88 A
+20% @50 V
1.75 A
+10% @100 V
3.5 A
+10% @200 V
7.0 A
+10% @400 V
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Ip2/Ip1
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67%~90%
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周期
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66 ns~90 ns
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MM 500欧电阻电流参数
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峰值电流Ipr
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0.85 A~1.2 A @ 400 V
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100 ns电流值 I100
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0.23 A~0.40 A @ 400 V
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I200/I100
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30%~55%
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通用参数
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输出电压
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HBM 5 V~8000 V (5%+5V)
MM 5 V~1000V (5%+5V)
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极性
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正、负或正负交替
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频率
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0.1 Hz~5 Hz
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触发次数
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1~999次
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触发方式
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自动，手动，外触发
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输入电源
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AC 100 V ~240 V
，+10%
50 Hz /60 Hz
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环境温度
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15℃~35℃
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储藏温度
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-10℃~50℃
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相对湿度
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25%~75%
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尺寸
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450 mm x320 mm x190 mm(长x宽x高)
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重量
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约10 kg
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