武汉LED商业民用照明/武汉大功率LED轨道灯
当前全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下，节约能源是我们未来面临的重要的问题，在照明领
域，LED发光产品的应用正吸引着世人的目光，LED作为一种新型的绿色光源产品，必然是未来发展的
趋势，二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代。 中国LED产业起步于20世纪70年
代。经过30多年的发展，中国LED产业已初步形成了包括LED外延片的生产、LED芯片的制备、LED芯
片的封装以及LED产品应用在内的较为完整的产业链，中国发展得比较快的LED企业很多：雷士照明、
长方照明、华威凯德。在“国家半导体照明工程”的推动下，形成了上海、大连、南昌、厦门、深
圳、扬州和石家庄七个国家半导体照明工程产业化基地。长三角、珠三角、闽三角以及北方地区则成
为中国LED产业发展的聚集地。 目前，中国半导体照明产业发展向好，外延芯片企业的发展尤其
迅速、封装企业规模继续保持较快增长、照明应用取得较大进展。2007年中国LED应用产品产值已超过
300亿元，已成为LED全彩显示屏、太阳能LED、景观照明等应用产品世界的生产和出口国，新兴
的半导体照明产业正在形成。国内在照明领域已经形成一定特色，其中户外照明发展最快，已有上百
家LED路灯企业并建设了几十条示范道路，但在室内通用照明市场方面仍显落后。 2008年北京奥
运会对LED照明的集中展示让人们对LED有了全新的认识，有力推动了中国半导体照明产业的发展。当
前中国半导体产业产业大而不强，核心竞争力仍有待于进一步提升。对国内企业而言，壮大规模、提
高产品质量与技术水平是首要任务，提高未来取得大厂专利授权时的要价能力，或逐步通过研发突破
核心专利。
http://shop.ebdoor.com/Shops/812419/
LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成
的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在
一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方
区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。 LED水底灯假设发光是在P区中
发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发
光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而
后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例
越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
LED照明的特性：
1．极限参数的意义
（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的值。超过此值，LED
发热、损坏。
（2）正向直流电流IFm：允许加的的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
（3）反向电压VRm：所允许加的反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。
（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极
管将不能正常工作，效率大大降低。 不改变材质的前提下，在LED的极限范围内，提高亮度的手
段就是提高电流，随着电流升高，LED发热量会剧增。使用过LED光源便携投影机的，或微投的朋友，
一定都深有体会，LED光源的投影机，非常热，而且普遍会有明显的噪音。这些产品，机身小是一方
面，关键还是其自身发热量较大所致。 随着功率的增加，LED的散热问题显得越来越突出，大量
实际应用表明，LED不能加大输入功率的基本原因，是由于LED在工作过程中会放出大量的热，使管芯
结温迅速上升，热阻变大。输入功率越高，发热效应越大。温度的升高将导致器件性能变化与衰减，
非辐射复合增加，器件的漏电流增加，半导体材料缺陷增长，金属电极电迁移，封装用环氧树脂黄化
等等，严重影响LED的光电参数。甚至使功率LED失效。因此，对于LED器件，降低热阻与结温、对发
光二极管的热特性进行研究显得日趋重要。
武汉LED商业民用照明/武汉大功率LED轨道灯