ZEM-5热电性能分析系统
技术特点：
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适用于研究开发各种热电材料和薄膜材料，提高测量精度
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温度检测采用C型热电偶，最适合测量Si系列热电材料(SiGe, MgSi等) *HT型
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真正可测基板上的纳米级薄膜（TF型）
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可测10MΩ高电阻材料
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标准搭载欧姆接触自我诊断程序并输出V/I图表
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基于日本工业标准JIS (热电能JIS 电阻率JIS R 1650-2)
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ZEM-5HT
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ZEM-5HR
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ZEM-5LT
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ZEM-5TF
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特 点
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高温型
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高电阻型
电阻：10MΩ
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低中温型
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薄膜型
可测在基板上形成的热电薄膜
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温度范围
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RT-1200℃
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RT-800℃
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-150℃-200℃
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RT-500℃
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样品尺寸
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直径或正方形：2 to 4 mm2
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长度3 ～ 15mm
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成膜基板：宽2-4mm，厚0.4-12mm，长20mm
薄膜厚度：≥nm量级
薄膜样品与基板要求绝缘
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控温精度
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±0.5K
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测量精度
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塞贝克系数：＜±７％； 电阻系数：＜±７％
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测量原理
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塞贝克系数：静态直流电； 电阻系数：四端法
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测量范围
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塞贝克系数：0.5μV/K_25V/K；
电阻系数：0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ
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分辨率
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塞贝克系数：10nV/K；
电阻系数：10nOhm
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气 氛
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减压Ｈｅ
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