易恩电气IGBT测试仪ENJ2005-C在哈尔滨某机务段顺利安装调试
2016年10月08日我公司自主研发生产的半导体分立器件测试系统、IGBT测试仪ENJ2005-C测试平台在哈尔滨大功率机车机务段成功安装并使用，在对机车逆变器内的多个IGBT模块进行各参数测试后，我公司测试平台分辨出IGBT模块的好坏，其测试数据的稳定性和一致性得到了充分的验证，获得机务段领导及相关技术人员的一致好评。客户高度赞扬我公司生产的该产品不管是在准确性还是稳定性上都可以与国外大公司生产的设备相媲美，且产品的性价比极高，并表示希望今后可以与我公司展开多方面的合作。
易恩电气，致力于全球电力电子测试方案提供商,主要提供电力电子相关的大功率分立器件测试仪、IGBT测试仪、变流器IGBT测试仪，牵引系统IGBT测试仪，半导体参数图示仪、IGBT动态参数测试仪、MOS管动态参数测试仪、IPM测试仪、雪崩耐量测试仪、浪涌测试仪等功率半导体测试设备.
系统特征：
● IV曲线显示/局部放大
● 程序保护电流/电压,以防损坏
● 品种繁多的曲线
● 可编程的数据点对应
● 增加线性或对数
● 可编程延迟时间可减少器件发热
● 保存和重新导入入口程序
● 保存和导入之前捕获图象
● 曲线数据直接导入到EXCEL
● 曲线程序和数据自动存入EXCEL
● 测试范围广（19大类、27分类）
曲线测试：
ID vs.VDS at range of VGS
ID vs.VGS at fixed VDS
IS vs.VSD
RDS vs.VGS at fixed ID
RDS vs.ID at several VGS
IDSS vs.VDS / HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V） vs. IC
BVEBO vs.IE
BVCBOvs. IC
VCE（SAT） vs. IC
VBE（SAT） vs. IC
VBE（ON） vs. IC （use VBE test）
VCE（SAT） vs. IB at arange of ICVF vs. IF
测试参数：
漏电参数：IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO、BVCES(300μS Pulseabove 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
混合参数：rDSON、gFS、InputRegulation、Output Regulation
间接参数：IL
配置规格：
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配置
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规格/环境
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主极电压
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1mV-2000V
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尺 寸
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450×570×280（mm）
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电压分辨率
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1mV
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质 量
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35kg
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主极电流
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0.1nA-50A
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工作电压
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200V-240V
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扩展电流
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100A
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电源频率
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47Hz-63Hz
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电流分辨率
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0.1nA
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工作温度
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25℃-40℃
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测试精度
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0.2%+2LSB
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通信接口
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RS232 USB
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测试速度
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0.5mS/参数
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系统功耗
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<150w
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测试范围：
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01
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二极管 / DIODE
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02
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晶体管 / NPN型/PNP型
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03
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J型场效应管 / J-FET
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04
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MOS场效应管 / MOS-FET
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05
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双向可控硅 / TRIAC
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06
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可控硅 / SCR
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07
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绝缘栅双极大功率晶体管 / IGBT
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08
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硅触发可控硅 / STS
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09
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达林顿阵列 / DARLINTON
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10
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光电耦合 / OPTO-COUPLER
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11
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继电器 / RELAY
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12
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稳压、齐纳二极管 / ZENER
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13
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三端稳压器 / REGULATOR
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14
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光电开关 / OPTO-SWITCH
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......其它器件共19大类27分类
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