研究人员深入研究了利用X射线显微术的纳米线，透过这种方法，研究人员们能够确定如何设计纳米线使其得以提供性能。这项研究结果发表在《ACS Nano》科学期刊。

纳米线大小约仅2微米高(μm；1μm是1/1000毫米)，直径约10-500纳米(nm，1nm约1/1000μm)。专为LED用的纳米线是由内部的氮化镓(GaN)核心以及外层氮化镓铟(InGaN)所组成，二者都是半导体材料。

这种二极体的光源有赖于存在两种材料之间的机械应变，而这种应变则大幅取决于两种材料层之间如何彼此接触。丹麦哥本哈根大学教授兼玻尔研究所所长Robert Feidenhansl解释，我们研究了多种采用X射线显微术的纳米线，甚至是原则上相同的纳米线，我们可以看到其间的差异及其相当不同的结构。

相关的研究是在位于德国汉堡的“德国电子同步加速器研究所”(DESY)电子同步加速器中利用纳米级X射线显微术进行。虽然这种方法相当耗时，而且结果通常十分有限或甚至仅能满足单一研究主题。然而，利用纳米级X射线的特殊设计，可使纳米线在过程中不至于被破坏，从而使研究人员得以顺利地同时测量一系列的纳米线。