可根据客户要求量身定制各种尺寸、厚度和晶向的epi-ready级砷化镓GaAs, 磷化铟InP和锗Ge抛光片，产品质量国内，价格合理，供货迅速：
主要技术参数Spec.：
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Item
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Unit
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Sepcification
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Remarks
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Crystal Growth
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VGF
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Dopant
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Si or Zn or undope
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N-type/ P-type/ undope
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Diameter
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2” 3” 4” 6”
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Orientation
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(100)
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Other orientation available
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Carrier Concentration
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/cm3
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0.4~2.5*1018
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Resisitivity
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Ohm.cm
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(0.8-9)×10-3 (1-9)×1017
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Mobility
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cm2/v.s
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1500~3000 3000~5000
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EPD
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/cm2
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<5000 <10000
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Thickness
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~350um ~600um
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TTV
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um
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<10um
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TIR
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um
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<10um
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Bow
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um
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<10um
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Warp
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um
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<10um
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Surface
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PE PP
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Epi-ready
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Yes
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砷化镓GaAs:
尺寸：2"~6"
厚度：200~650um
晶向：根据客户要求
电学参数：国际标准
磷化铟InP:
尺寸：2"~4"
厚度：300~500um
晶向：根据客户要求
电学参数：国际标准
锗Ge：
尺寸：4"
厚度：170um
晶向：根据客户要求
电学参数：国际标准