台湾西玛半导体有限公司1990年在台湾新北市成立专业生産可控硅模块、二极管模块、快恢复二极管模块、IGBT模块，在线智能模块产品。通二十二年努力公司在全球大部分地区有自己的研发销售机构；2006年完成4500V高压可控硅模块、二极管模块的開發與上市。榮獲ISO 9002國際標准質量認證，在台湾西玛半导体爲家通過國際認證的功率模块專業制造廠家，國防工業廠商評鑒合格，榮登軍品供應廠商名錄，承制軍方需用的各种功率器件；西玛高压可控硅榮獲中央標准局核定專利十年。
上海华晶公司1992年成立（并购原上海整流器制造厂）专业封装制造功率模块
˙引進德国先進技術，提升産品技術層次，開發新産品，邁進新紀元。積極與國外技術交流並引進德國大型封装设备，應用在可控硅，二极管，IGBT封装˙積極爭取與國外歐美設備大廠合作開發質量優良、價格具競爭優勢的電力功率器件及協助歐美設備廠商有效率降低成本，憑借與世界系統設備廠商的合作關系，不斷提升研發技術能力及成本控管能量。
強化産品可靠度/安全性/操作性/耐用性之設計、産線質量管理及售後維修服務方面之能力，努力建立最優質的功率器件專業制造廠之品牌知名度及聲譽。
投入管理及研發人才，加強同仁TWI教育訓練並全面推行QCC品管圈活動，有效並迅速接受技術轉移，落實本公司科技升級之根。
在中国浙江建立半导体工业园占地面积三万平方米。
产业覆盖LED,太阳能光伏逆变器等领域。
爲了更好的服務于大陸客戶,在中国湖北省襄阳市建立大功率芯片封装基地。
IGBT的保护措施
由于IGBT具有极高的输入阻抗，容易造成静电击穿，将IGBT用于电力变换时，为了防止异常现象造成器件损坏，通常采用下列保护措施：
1）通过检出的过电流信号切断栅极信号，实现过电流保护；
2）利用缓冲电路抑制过电压，并限制过高的dv/dt;
3）利用温度传感器检测IGBT的外壳温度，当超过允许温度时主电路跳闸，实现过热保护。由于IGBT具有正温度系数和良好的并联工作特性，IGBT多采用多只元件并联工作，主电路除对称性外，无其他特殊要求。
从目前的使用情况看，采用IGBT作为开关元件的静止变频电源的故障率明显较低，元器件损坏的较少，维修费用也较低，是静止变频技术新的发展方向。
特点：
1、芯片与底板电气绝缘
2、国际标准封装
3、全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力
4、400A以下模块皆为强迫风冷，500A以上模块既可选用风冷，也可选用水冷
5、安装简单，使用维修方便
6、体积小，重量轻
典型：
1、交直流电机控制
2、各种整流电源
3、工业加热控制
4、调光
5、无触点开关
6、电机软起动
7、静止无功补偿
8、电焊机
9、变频器
10、UPS电源
11、电池充放电
IT(AV) 110A
VDRM/VRRM 600 ~3600V
ITSM 2.4 KA
I2t 29 103A2S