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普通可控硅晶闸管/整流管混合模块MFC MFK MFX MFA500A1600V厂家报价价格

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产品型号： W-MFC、MFK、MFX、MFA(26-1200)A(600-5600)V

有效期：长期有效

所在地：广东省深圳市

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无

供应数量：100000

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详细说明

在实际可控硅电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。

可控硅有一重要个特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在额定结温和门极断路条件下，使可控硅从断态转入通态的电压上升率。若电压上升率过大，超过了可控硅的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于可控硅的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为可控硅可以看作是由三个PN结组成。

在可控硅处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当可控硅阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果可控硅在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的下，可控硅误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。，对加到可控硅上的阳极电压上升率应有一定的限制。

为了限制电路电压上升率过大，确保可控硅安全运行，常在可控硅两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的（变压器漏感或负载电感），所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏可控硅。同时，避免电容器通过可控硅放电电流过大，造成过电流而损坏可控硅。

由于可控硅过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。

普通晶闸管/整流管混合模块特点：
1、芯片与底板电气绝缘
2、国际标准封装
3、全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力
4、400A以下模块皆为强迫风冷，500A以上模块既可选用风冷，也可选用水冷
5、安装简单，使用维修方便
6、体积小，重量轻。

典型应用：
1、交直流电机控制
2、各种整流电源
3、工业加热控制
4、调光
5、无触点开关
6、电机软起动
7、静止无功补偿
8、电焊机
9、变频器
10、UPS电源
11、电池充放电

IT(AV)            500A
VDRM/VRRM    600~3600V
ITSM              16 KA
I²t                 1280 10³A²S

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