杭州新势力光电技术有限公司
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APD阵列

价        格:面议   
产品型号: First Senor
有 效 期: 长期有效
所 在 地: 浙江省杭州市
配送信息:
供应数量:100
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该公司共有 3条同类“光电探测器”信息       查看全部>>
详细说明

APD阵列
新势力光电供应APD阵列,包括线性APD阵列和矩阵APD阵列。该系列APD雪崩二极管阵列主要用于:激光雷达、激光测距。我们同时供应APD雪崩二极管APD雪崩二极管模块

Chip
Package
Description
8AA0.4-9
SOJ22GL
APD Array 8 Elements, QE>80% at 760-910nm with NTC
16AA0.13-9
SOJ22GL
APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm with NTC
16AA0.13-9
DIL18
APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm
16AA0.4-9
SOJ22GL
APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm
25AA0.04-9
BGA
APD Array 25 (5x5) elements, QE>80% at 760-910nm with PTC
25AA0.16-9
BGA
APD Array 25 (5x5) elements, QE>80% at 760-910nm with PTC
64AA0.04-9
BGA
APD Array 64 (8x8) elements, QE>80% at 760-910nm with PTC
QA4000-9
TO8Si
Quadrant Avalanche Photodiode, QE>80% at 760-910nm
 www.NewOpto.com

 

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APD阵列
新势力光电供应APD阵列,包括线性APD阵列和矩阵APD阵列。该系列APD雪崩二极管阵列主要用于:激光雷达、激光测距。我们同时供应APD雪崩二极管APD雪崩二极管模块

Chip
Package
Description
8AA0.4-9
SOJ22GL
APD Array 8 Elements, QE>80% at 760-910nm with NTC
16AA0.13-9
SOJ22GL
APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm with NTC
16AA0.13-9
DIL18
APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm
16AA0.4-9
SOJ22GL
APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm
25AA0.04-9
BGA
APD Array 25 (5x5) elements, QE>80% at 760-910nm with PTC
25AA0.16-9
BGA
APD Array 25 (5x5) elements, QE>80% at 760-910nm with PTC
64AA0.04-9
BGA
APD Array 64 (8x8) elements, QE>80% at 760-910nm with PTC
QA4000-9
TO8Si
Quadrant Avalanche Photodiode, QE>80% at 760-910nm
 www.NewOpto.com

 

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APD阵列
新势力光电供应APD阵列,包括线性APD阵列和矩阵APD阵列。该系列APD雪崩二极管阵列主要用于:激光雷达、激光测距。我们同时供应APD雪崩二极管APD雪崩二极管模块

Chip
Package
Description
8AA0.4-9
SOJ22GL
APD Array 8 Elements, QE>80% at 760-910nm with NTC
16AA0.13-9
SOJ22GL
APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm with NTC
16AA0.13-9
DIL18
APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm
16AA0.4-9
SOJ22GL
APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm
25AA0.04-9
BGA
APD Array 25 (5x5) elements, QE>80% at 760-910nm with PTC
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64AA0.04-9
BGA
APD Array 64 (8x8) elements, QE>80% at 760-910nm with PTC
QA4000-9
TO8Si
Quadrant Avalanche Photodiode, QE>80% at 760-910nm
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